反激VCC辅助绕组D的使用-综合电源技术-世纪电源网社区

ABo5541

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LV6

高级工程师

在空载满载切换时，Vds应力过高达到1200V，将D从500ns的换成75ns的问题解决，想咨询一下问题的机理

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		2 谢开源谢开源离线 LV10 总工程师积分：11754 \| 主题：81 \| 帖子：2933 访问空间发消息积分:11754 LV10 总工程师 2022-7-12 17:38:15 倒数8
		只能说你用的是PSR结构，D影响了FB脚检测导致空载电压过高，即反射电压过高从而导致Vds过高回复 \| 举报 \|

			4 ABo5541 ABo5541 在线 LV6 高级工程师积分：463 \| 主题：1 \| 帖子：7 访问空间发消息积分:463 LV6 高级工程师 2022-7-13 16:51:28 倒数6
			也是SSR架构，D也串了2R的电阻，只是MOS用的GaN 回复 \| 举报 \|

				6 谢开源谢开源离线 LV10 总工程师积分：11754 \| 主题：81 \| 帖子：2933 访问空间发消息积分:11754 LV10 总工程师 2022-7-16 17:12:34 倒数4
				那就是你的SR Mos与GaN有共通风险。改D则改变了死区振荡边沿斜率。你可以抓改之前之后的：初次级Mos的驱动波形以及次级的Vds波形，看看有什么差异回复 \| 举报 \|

		3 aymm aymm 在线 LV6 高级工程师积分：1467 \| 主题：2 \| 帖子：138 访问空间发消息积分:1467 LV6 高级工程师 2022-7-12 20:31:50 倒数7
		线路图都没得回复 \| 举报 \|

			5 ABo5541 ABo5541 在线 LV6 高级工程师积分：463 \| 主题：1 \| 帖子：7 访问空间发消息积分:463 LV6 高级工程师 2022-7-13 16:53:42 倒数5
			正常的反激电路回复 \| 举报 \|

		7 z443233785 z443233785 离线 LV8 副总工程师积分：5343 \| 主题：117 \| 帖子：1003 访问空间发消息积分:5343 LV8 副总工程师 2022-7-31 23:31:11 倒数3
		GaN的方案因为频率高，VCC如果用慢管有炸机风险回复 \| 举报 \|

		8 colindun colindun 离线 LV6 高级工程师积分：726 \| 主题：0 \| 帖子：10 访问空间发消息积分:726 LV6 高级工程师 2022-8-9 23:46:17 倒数2
		这个二极管影响VDS?只知道影响VCC 回复 \| 举报 \|

			9 降龙十八掌降龙十八掌离线 LV6 高级工程师积分：720 \| 主题：8 \| 帖子：50 访问空间发消息积分:720 LV6 高级工程师最新回复 2022-10-9 23:01:59 倒数1
			用vcc绕组来反馈？回复 \| 举报 \|

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