 |  | | | | 反射电压是120V左右合适，最好100V左右，毕竟还有漏感，漏一下就120V，130V
5V的圈比大概是15
12V的圈比大概是7，8
电流密度你按5A/mm2
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|  |  | | | | | 赞同。
目前反激主流是QR mode,你按CRM计算即可
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| | | | | 1，反激变压器的反射电压一般取多少V，当MOS管耐压受限时，由MOS管耐压决定，当MOS耐压不受限时，由最大占空比决定
2, 电感量的设计，按临界模式计算，就知道在哪一个工作点由DCM模式转为CCM模式
3，变压器匝比的取值由（1、）反射电压决定
4，变压器的线径由窗口决定，线包温升高的原因是窗口没有绕满，或者频率太低（匝数太多、线径太细、感量太大），可以增加频率（减少感量）、增加磁损（使温升相等）应对之。
详情参阅：【原创】反激变压器设计要领
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| | | | | 占空比没有固定模式 和输出电压 保持时间 MOS余量都有关系
。比我现在手上的单级PFC反激 输出200V 80瓦 我区的就是200V 的反射电压。MOS 800v 12A 输出二极管800V 10A 效率92.5 。取这么大就是峰值电流可以小一点，变压器电感量不会 过小，MOS应力可以承受（客户要求常态80% 瞬态90%）如果你输出5V 完全可以取60V 低压大电流小匝比 可以减小初级反射漏感（匝比的平方）用低压MOS 低压肖特基 减少铜的使用量
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