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| | | | | | | | | 反激整个 Toff 期间原边电流都是0,命题不成立
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| | | | | | | | | | | 反激 Toff 期间,电感上的电流,是缓慢下降的吧?
很多是MOS管S引脚下再串一个小阻值的采样电阻,反激 Toff 期间这个电阻上的电流是一直为0吗?
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| | | | | | | | | | | | | 反激 Toff 期间,副边的电流是缓慢下降的,原边电流一直为0
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| | | | | | | | | | | | | | | 版主解释的非常正确,反激就是一个电感充放电的过程,原边电流为零时,次级其实是自身绕组存储电荷放电过程
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| | | | | 通过辅助绕组端口的电位变化就可以判断反激的电感电流是否过零了。
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| | | | | 你看看反激QR模式芯片应用就知道,如NCP1377,TEA1755, OB2203
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| | | | | 应该是初级mos谷底开通点吧,简单一点,检测辅助绕组电压,到零后。延时几百个ns。基本上可以到做到谷底开通,实际可以微调延时时间。复杂一点,也可以用比较器或者斜率检测。
参考一下QR ZCD检测。
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