|
|  |  | | | | | 嗯，谢谢大师！
因为是平台方案，其他机型没有这个问题，所以我优先从LAYOUT上去想办法优化了，包括去除了可要可不要的D-S间吸收电容
1 因为是有铝壳一体，而且灌胶了的；有时候我发现我比较想偷懒，想着优先从认为的可能影响的因素先取尝试，例如：CS检测走线，是否**扰，关断电阻是否太大了，结合其他机型的参数重新装机测试；
2 如果周一老化结果还是失败，就取在半桥区域挖空铝外壳，上下管驱动波形接出来监测；由于失效时间的不确定性，可能一次性不一定能抓到失效瞬间的波形，也是这个难点，让我先排除自认为可能存在的因素先行排除。
|
|
|
|  | | | | | | 从现象上看，大功率是直通了，因为管子本体炸裂，中间区域烧黑严重，散热器接地线烧毁；
如果是管子高温下直通，如果来解决高温下上下管直通的问题？
调整死区时间？还是驱动参数，驱动走线是否合理等等？
|
|
|
|  | | | | 驱动电路坏了吗？击穿是值GDS都通了吗？高温老化环境看看MOS管的GS和DS的波形，用热电偶监测MOS的温度，然后跟电子文档进行一下对比，如果没裕量了，有可能会坏。
还有就是看看上下管的死区，监测一下高温状态下是否有直通现象。
高温状态下，半导体器件到店能力增强 ，很多参数都会变。
评分查看全部评分
|
|
|
| | | | | | | 驱动电路坏，本体炸裂开，GDS通；
因为是平台方案，其他机型没有这个问题，所以我优先从LAYOUT上去想办法优化了，包括去除了可要可不要的D-S间吸收电容
进一步测试中
|
|
|
|
| | | | | 结合同事给出的建议-----要么是MOS管性能质量欠佳，要么是驱动电路失效造成MOS管击穿。
评分查看全部评分
|
|
|
| | | | | | | 1 MOS是ST的，在其他机型上面使用正常，排除质量问题。
2 我现在主要从PCB LAYOUT优化，隔离驱动电路安全间距，CS脚检测线割线，排除这个地方存在干扰的可能；
3 拿下DS间的吸收电容
进一步测试中。
|
|
|
|
| | | | | 1、管子的GDS都坏了吗？
2、驱动电路是否失效？
3、管子的死区时间合适吗？
4、高温特性下，该MOS管性能变差？ |
|
|
| | | | | | | 1、管子的GDS都坏了吗？---是的，都坏了；从现象看，上下管本体炸裂开，两个管子之间的区域，有明显飞溅烧黑的现象；大概率是直通串红了；而且所在散热器接地的一个0.5mm走 线，直接烧毁；应该是大电流对地了；
2、驱动电路是否失效？ ---失效了，把驱动电路，MOS换新的，工作正常了；
3、管子的死区时间合适吗？ ---这个是NCP1399方案，公司通用方案，好像这个IC可以自动适应调节，应该大概在300多ns，没有特别取抓取这个时间；周一上班看下。
|
|
|
|
| | | | | | | 很难监测到异常时候的波形，有时候是半夜，有时候是下班期间。 |
|
|
|
收藏
分享
津公网安备 12010402000296号