 |  | nc965- 积分:102412
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积分:102412 版主 | | | |
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|  |  | | | | | 嗯,谢谢大师!
因为是平台方案,其他机型没有这个问题,所以我优先从LAYOUT上去想办法优化了,包括去除了可要可不要的D-S间吸收电容
1 因为是有铝壳一体,而且灌胶了的;有时候我发现我比较想偷懒,想着优先从认为的可能影响的因素先取尝试,例如:CS检测走线,是否**扰,关断电阻是否太大了,结合其他机型的参数重新装机测试;
2 如果周一老化结果还是失败,就取在半桥区域挖空铝外壳,上下管驱动波形接出来监测;由于失效时间的不确定性,可能一次性不一定能抓到失效瞬间的波形,也是这个难点,让我先排除自认为可能存在的因素先行排除。
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|  |  | | | | | 从现象上看,大功率是直通了,因为管子本体炸裂,中间区域烧黑严重,散热器接地线烧毁;
如果是管子高温下直通,如果来解决高温下上下管直通的问题?
调整死区时间?还是驱动参数,驱动走线是否合理等等?
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 |  | | | | 驱动电路坏了吗?击穿是值GDS都通了吗?高温老化环境看看MOS管的GS和DS的波形,用热电偶监测MOS的温度,然后跟电子文档进行一下对比,如果没裕量了,有可能会坏。
还有就是看看上下管的死区,监测一下高温状态下是否有直通现象。
高温状态下,半导体器件到店能力增强 ,很多参数都会变。
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|  |  | | | | | 驱动电路坏,本体炸裂开,GDS通;
因为是平台方案,其他机型没有这个问题,所以我优先从LAYOUT上去想办法优化了,包括去除了可要可不要的D-S间吸收电容
进一步测试中
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 |  | | | | 结合同事给出的建议-----要么是MOS管性能质量欠佳,要么是驱动电路失效造成MOS管击穿。
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|  |  | | | | | 1 MOS是ST的,在其他机型上面使用正常,排除质量问题。
2 我现在主要从PCB LAYOUT优化,隔离驱动电路安全间距,CS脚检测线割线,排除这个地方存在干扰的可能;
3 拿下DS间的吸收电容
进一步测试中。
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 |  | | | | 1、管子的GDS都坏了吗?
2、驱动电路是否失效?
3、管子的死区时间合适吗?
4、高温特性下,该MOS管性能变差? |
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|  |  | | | | | 1、管子的GDS都坏了吗?---是的,都坏了;从现象看,上下管本体炸裂开,两个管子之间的区域,有明显飞溅烧黑的现象;大概率是直通串红了;而且所在散热器接地的一个0.5mm走 线,直接烧毁;应该是大电流对地了;
2、驱动电路是否失效? ---失效了,把驱动电路,MOS换新的,工作正常了;
3、管子的死区时间合适吗? ---这个是NCP1399方案,公司通用方案,好像这个IC可以自动适应调节,应该大概在300多ns,没有特别取抓取这个时间;周一上班看下。
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|  |  | | | | | 很难监测到异常时候的波形,有时候是半夜,有时候是下班期间。 |
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