总结一下：
1，ADI的LTC7891栅极驱动电压可精确调节4V至5.5V，以优化性能，实现不同GaN FET甚至逻辑电平MOSFET，还可以通过配置死区时间，适配不同开关频率下的最优的效率设计。
2，GaN的驱动电压只有5V左右，而且开关频率高（可以设计>1Mhz）,所以驱动环路在PCB layout的时候尤其需要注意，尽量走线最短和加粗，减少驱动环路的寄生电感，要不Vg就很容易过冲或者下冲，一般的GaN的Vg最大值也只有6~7V，很容易导致Vg过压损坏。
3，输出的功率回路环路也需要特别注意，由于采用外部采样电阻，所以功率回路会比较长，要注意高频电容的摆放，使得环路最小，减少SW过冲。
4，再有就是需要根据GaN参数配置合适的开关频率，虽然GaN支持高速开关，但是pcb的环路做不好只能减小降频来使用了。再有就是GaN做的比一般MOS管小，散热设计也是非常需要注意的。现在有一些GaN FET支持TOP和BOTTOM都进行散热，这样会是一个不错的思路。
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