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|  |  | | | | | 不行啊，电容减小电阻加大以后，Vds已经冲到250V了 |
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 | | | | | 1、校核变压器，帮你校核了一下，5处 不对劲！
2、校核漏感%，不要凭记忆
3、校核输入输出电容体积，要与变压器体积大致相当，感觉你严重失衡
4、校核频率是否与规划一致
5、输入限个流，满载再看。空载看不出问题。
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| | |  | | | | | | 你要测你的RCD参数是否合适，合适了就可以不调了。我一般验证是测试RCD节点的波形，下降的最低点是不是等于（反射电压+电源电压），等于就刚好，大于就欠了一些，小于就过了一些。 |
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| | | | | | | | | | | 下降的最低点是不是指震荡波形的第一个波的波谷？还是其他哪里？
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| | | | | | | | | 好消息是：这波形说明漏感确实不大，但出现大范围振铃，是钳位电路不当，阻尼不够
1、减小器件结电容，减少振铃能量
2、减小R708阻值，可降低振铃幅度、即Vds尖峰，直到效率无明显下降，然后据此复核Q1和VD6的耐压
3、C28（或VD6）串电阻（10R起），可减少振铃个数，直到效率无明显下降。
坏消息是：你这频率低于100KHz了，（变压器、板）体积大了，这个电压完全可以做到300KHz以上
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| | | | | | | | | | | 这个电压完全可以做到300KHz以上；这个根据什么来的？
我的理解，电压越低，在MOS管的结电容上产生能量就少，这样频率高点，MOS管自身功耗也没有多大。所以频率可以高些。
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| | | | | | | | | | | | | 电容储能与电压的平方呈正比，电容的功率与频率呈正比，联合求解得：电压与频率呈反比，28V300KHz大致相当于280V30KHz那样容易
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| | | | | | | | | | | | | | | 这里的电容，也是指MOS管结电容吗？主要还是考虑MOS管工作功耗吗？ |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 结电容，开关器件的，不仅MOS，与材质有关，相同材质才这样，Si与SiC不一样，NMOS与PMOS也可能不一样，不能类推
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| | | | | | | | | | | 我实在是电源新人~~~非常感谢指点，我慢慢消化吸收
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| | | | | 感谢大家的指教~今天白天因公外出了，晚上回去后逐条试验 |
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| | YTDFWANGWEI- 积分：109912
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| | | | | | | | | 1、增大原边感量；
2、实测漏感是多少？不能感觉，要看占比！！！
3、变压器啥规格？可以考虑换一个系列的骨架减少漏感；
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