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关于驱动芯片自举电容大小的问题

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y475199448y
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副总工程师
  • 2024-3-4 22:56:38
关于驱动芯片自举电容大小的问题,问题见图片最下面,自举电容大小为什么会与占空比有关
IMG_20240304_225452.jpg
Wilton
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高级工程师
  • 2024-3-4 23:20:21
 
半桥自举里自举电容驱动的不是上管吗?这书里怎么说是下管?
y475199448y
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副总工程师
  • 2024-3-9 16:45:48
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是上管呀?哪里说驱动下管了?
Wilton
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高级工程师
  • 2024-3-9 16:54:12
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顶楼的图里有这么一句:“VT1的栅极靠C2上的电压实现自举驱动”,而VT1是下管
y475199448y
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副总工程师
  • 2024-3-9 18:12:11
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应该是写错了
Wilton
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高级工程师
  • 2024-3-9 18:45:21
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楼主再好好看一遍这一整段话,应该就能知道这不会仅仅是笔误,不然就到处都是矛盾了。
错是错了,但不是写错,而是从根本上就错了。正如4楼的兄弟所说,真的是一本乱七八糟的书。

y475199448y
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LV8
副总工程师
  • 2024-3-9 23:33:46
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看了下目录感觉还不错就买回来了,没想到是一本垃圾书,在此点名!书名为《新能源电源变换技术》,机械工业出版社,作者:马俊杰 耿新 高俊山 刘金凤

书是垃圾!作者们更是垃圾!为了赚钱不择手段,疯狂出书,自己看都不看,漏洞百出,内容不知道都是从哪里复制粘贴过来的!浪费看书人宝贵时间,误人子弟!

king5555
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高级工程师
最新回复
  • 2024-3-11 22:12:00
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了解驱动器内部,研究此电容充、放电路径。最好卖外国畅销书或译本,这类再版多次数的错误非常少。
梦剑蜀黍
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高级工程师
  • 2024-3-5 10:05:47
 
电容是在驱动信号为低的时候充电的,如果占空比较大,则意味着关断时间短,电容充电时间短,如果电容较大,就可能造成电容电压充不上去
y475199448y
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  • 2024-3-9 16:46:34
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这个解释听起来比较合理!
真武阁
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LV8
副总工程师
  • 2024-3-5 16:00:51
 
这是一本什么书啊,对自举的描述如此乱七八糟。
首先,只有在没有下管VT2(比如非同步整流BUCK),同时也没有输出电容(或输出电容远小于自举电容)的情况下,才需要通过负载回路完成对自举电容C2的充电。在有下管VT2的场合,VT2 会先开通,VCC通过VT2对C2充电,一个周期没达到上管驱动器的工作电压阈值,那就下一个周期继续,直到C2建立起所需的工作电压,如果输出端有电容,而这个电容又远大于C2,那么即使没有VT2和负载,也可以通过输出电容对C2充电。
其次,自举和占空比的关系,-----C2的充电时间取只决于充电电流,在稳态下存储等于消耗,为了避免C2上的纹波太大,理论上C2的容量应该取得比较大(用驱动电荷来换算至少比MOS的等效驱动电容大一个数量级),大容量只影响上驱动器启动前建立工作电压的时间。和占空比关系不大。极端情况下,占空比很小,VT2开通时间很短,等到下一个充电周期需要很长时间,小容量意味着掉电也很快,这时候正确的做法也是加大容量同时提高充电电流,争取在有限的时间内C2存储更多的电荷。
hunter4051
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副总工程师
  • 2024-3-6 08:13:19
 
解释的很详细,很到位
y475199448y
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副总工程师
  • 2024-3-9 16:58:09
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确实乱七八糟,您倒是解释清楚了,我却看不懂了
YTDFWANGWEI
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版主
  • 2024-3-6 08:19:27
 
书上认为给自举电容充电的源是恒流源,而实际上,给自举电容充电的源是恒压源,所以,基本与占空比无关。
y475199448y
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副总工程师
  • 2024-3-9 16:50:39
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有可能
梦剑蜀黍
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高级工程师
  • 2024-3-10 12:16:58
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既不恒流,也不恒压,一般都会有一个较大的限流电阻
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