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UCC28070 驱动互相干扰求助

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xiaolinjob
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副总工程师
  • 2020-4-20 15:24:14
10问答币
项目名称:用UCC28070做单相有桥6KW PFC     
问题点: UCC28070 的两路交错驱动,从该芯片出来时就有互相干扰,会引起不必要的噪音,且还会引起各自对侧MOS管的电压应力(负载越大越附加的多)。
说明点:1.辅助供电电源,受电于PFC输出,给UCC28070 供电的+15V与其受电互相隔离。供电地与驱动地、UCC28070小板地在其接口附近共地。
            2.在驱动芯片前后调节电阻大小几乎无用。
            3.割断电流互感器近端的共用GND线,改为互相自大板CE7取GND无用。
            4.sch中的互感器改为EE19(1:100)自绕互感器也没作用。
----------------------------------------------------------------------------------------------
楼主更正(2020.5.5):驱动波形互相干扰的问题,经去扰测试分析已经排除,现存问题为MOS开关波形在工频"m"波的峰值过后有约1.2mS的中断,此问题还是本方案的一个常见问题,如何解决?




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17楼有刷新,这个圈是PCB最基本操作,行业共识,只有三个元件,焊盘靠焊盘布局(尽量不要靠敷铜连接):
xiaolinjob
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LV8
副总工程师
  • 2020-4-20 15:55:17
 
补充说明一下,UCC28070小板的的Pin3,4已割开GND(PFC主板亦然)。Pin3,4与Pin9,10均从相应的驱动芯片后取驱动信号,再从这里飞线至相应的Csen电路。
xie_guos
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高级工程师
  • 2020-4-20 16:03:04
 
感觉像是测量问题引起的假信号

xiaolinjob
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副总工程师
  • 2020-4-20 16:47:28
 
有什么办法改善吗?
其实我在调机割Csen的共GND铜皮时,还有意只在CT1外围器件C9处割断,然后又割断CT1与CT2之间的GND,分别飞线到C7的GND。且两个Csen信号是傍着原来的GND走线到小板接口。
nc965
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  • 2020-4-20 17:54:02
 
只要运行没问题,那就没问题,不必理会。
xiaolinjob
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LV8
副总工程师
  • 2020-4-20 18:15:46
 
确实不影响输出。但是这个驱动互相串扰确实是大了些,不光是MOS电压应力增加了不少(现在才带载不到1KW,再加载电压应力还要增加),且而因为后级的需要,此处PFC电压至少需要460V以上,MOS管的损耗比同功率升400V的也要大出不少。所以,既然难以消除去,还是想能够再降一些。
nc965
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  • 2020-4-20 18:18:10
 
你不觉得那毛刺是假的?当然如果是真的是不允许的,靠PCB布局可消除
xiaolinjob
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副总工程师
  • 2020-4-20 20:09:05
 
这个毛刺是真实存在的。而且从UCC28070的驱动脚出来就有了。
因要考虑用以前的旧物料,还有机箱内后级DC-DC所占用的空间,这个PFC部分元器件的布局无法进行大的改动。
走线方面,其实CT2的Csen走线与另一路的MOS-D铺铜的距离已经超过3.2mm了,因为有44mm长是平行的,所以还是割断了再飞线进小板接口,仍然无改善
nc965
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  • 2020-4-20 20:39:35
 
这个毛刺是不是真实存在的?看看UCC28070的驱动脚和地这两点(双踪)信号就知道了。
如果不懂怎么看这两点双踪,可参阅此贴22楼起:关于UC3844的一个问题

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xiaolinjob
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副总工程师
  • 2020-4-21 10:27:35
 
谢过指点!
测试干扰的问题,确实有,但只针对于信号幅值小的,对于大幅值的信号,比如电压应力,带接地夹测试与不带差异很小。

xie_guos
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高级工程师
  • 2020-4-21 10:40:37
 
有没有高压差分探头对比一下

xiaolinjob
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副总工程师
  • 2020-4-21 10:57:16
 
差分探头? 测试带来的干扰恐怕是最大的吧。如果不是因为通常示波器的地是相通的,被测信号存在电位差而不得不用它,谁愿用?反正我是最讨厌这它了。
nc965
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  • 2020-4-21 10:47:59
 
两点不明白
1、带接地夹和不带接地夹是什么操作?
2、双踪怎么不是同屏两个波形?
13.png

xiaolinjob
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副总工程师
  • 2020-4-21 11:04:06
 
第一点,不带接地夹测试就像测纹波噪声的方法一样,这样测试是最接近准确的波形。
第二点,我楼上的相关波形是用勾子和接地夹在同一点测试的。 其实其中两个波形的测试位置是一样的,只是用的探头和显示的幅值不同而已,很显然,对于应力测试,带不带接地夹测试影响不大。
nc965
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  • 2020-4-21 11:13:46
 
我看你不带接地夹的波形,显然不存在驱动相互影响的问题。
xiaolinjob
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副总工程师
  • 2020-4-21 11:17:04
 
是这样的,我已经排除了驱动干扰的问题(是因为探头接地夹带来的),想改贴名,改不了,不过已经顶楼备注了。现在问题是MOS的应力受到了干扰。
关于PCB,是我Layout的。我早先就最不满意的是电感出线到升压二极管的那段走的太长,但因为后面的电容占得太大、想共用以前的散热器、风道不能太差,还有机箱内留给PFC部分的空间有限等因素,没有好办法改了。
nc965
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  • 2020-4-21 11:18:29
 
板子太差,改板是唯一出路
先做好这个圈,只有3个元件:

13.png

xiaolinjob
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副总工程师
  • 2020-4-21 11:36:25
 
如果进升压二极管的走线不方便改短,有何办法消除减由此而互相引起对侧MOS的电压应力? 这个尖刺展开后最大幅值约有80V,周期约33nS(频率约30MHz),断铜皮带磁珠走线?


nc965
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  • 2020-4-21 11:52:08
 
17楼有刷新,这个圈是PCB最基本操作,行业共识,只有三个元件,焊盘靠焊盘布局(尽量不要靠敷铜连接):

12.png
xiaolinjob
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副总工程师
  • 2020-5-5 09:39:09
 
PCB改了,牺牲了一些风道散热性能。现在,互相干扰明显减小。看来,还是要把功率器件布局排在第一位,尤其是大功率电源,通风散热需要另想办法。[先前在Layout时把散热的权重看重了些]
nc965
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  • 2020-5-5 19:00:18
 
晒一下你的新板
xiaolinjob
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副总工程师
  • 2020-5-5 19:43:20
 
PCB局部
nc965
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  • 2020-5-5 20:57:00
 
还是没对,那几个CBB电容对于缩小回路面积有重要作用,要充分利用
xiaolinjob
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副总工程师
  • 2020-4-21 16:43:14
 
因为MOS的电压应力随着带载增加还会明显上升,看来也只能改PCB了。
题外话说一句,版主上面的原理图,适合于其它AVM的PFC,但是对于UCC28070,因为它有电流合成,实际上只需像PKM的PFC一样就可以了。
nc965
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  • 2020-4-21 20:05:40
 
没什么不同,Ipk信号是一样的。意在尽量减少环路元件数量以缩小环路包围面积,即使要增加进去,也不要为它增加路径。
xiaolinjob
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副总工程师
  • 2020-4-22 19:38:41
 
用UCC28070这个芯片,版主照你17楼所示原理图做过? 用这个图Layout也比较容易,好走线。 如果没谁用过,我不敢用呀。
你17楼那个图片确是典型的平均电流模式取样。然而UCC28070虽然也是平均电流模式,但是其给出的应用图是采用峰值电流模式取样,只不过它自带电流合成,可以把取样电流搞平均电流模式。
nc965
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版主
  • 2020-4-22 22:31:12
 
嗯,这个采样很关键,还是按数据手册来吧
12.png

最小化布局示意:
13.png
xiaolinjob
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副总工程师
  • 2020-5-7 16:26:25
 
版主你好!请教一个问题,还是用UCC28070做的465V输出5.5KW这个机型,频率设为62.5KHz,在带载3.5KW以上,MOS开关波形在工频"m"波峰值过后约有1.2mS的中断。  现在PFC电感是184060  500uH(61Ts) 【附:用芯片资料的计算的感量太小,完全不能作为参考!我用自编的公式计算感量为431uH,实际上再往上取,曾试着降低输出至414V左右,出现波形中断的功率还更小。】;     电流互感器是EE19  1:155 (复位为4148+1kR) 【注:先前用1:100也是同样的情况】


xie_guos
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高级工程师
  • 2020-5-8 09:52:18
 
不像限流保护,是否VSENSE触发过压了,采样的C8加大试试

xiaolinjob
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LV8
副总工程师
  • 2020-5-8 10:25:39
 
C8试着加到过472*2,没效果。我这PFC的滤波电容是470uF*4.
nc965
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  • 2020-5-8 10:25:25
 
1、PFC电感184060  500uH(61Ts) ,那只是测试时电流为零的电感量,实际上电后你这个电感峰值电流可能超过43A,感量趋于零,饱和了,不能用。
xiaolinjob
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副总工程师
  • 2020-5-8 10:29:46
 
版主,铁硅铝不致于太容易饱和吧? 包括铁硅铝在内的很多合金磁粉芯都是软饱和特性,使其饱和的条件会很严苛。
请支招
nc965
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  • 2020-5-8 10:36:52
 
2、这个功率要用47mm单环有点勉强,改用184026(即美磁77440)勉强可以用,最好频率提高到75KHz。帮你核算了一下:
12.png

我这个计算表格下载,你自己可以核算:
磁环电感精确计算电子表格
xiaolinjob
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副总工程师
  • 2020-5-8 10:58:49
 
谢谢!
因为 截面/磁路长 相对较大,所以选用184xxx磁环的比较多(我现用的是科达)。这个环还能再加绕线,还是打算用这个,打算要增加匝数到75匝(760uH)。再看看改善程度,不行就再提高点频率。 (注:现在升压二极管用的是APT60DQ120BG(品牌Microsemi),温度明显比MOS高,有用过的性价比好的管子推荐吗?)
nc965
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  • 2020-5-8 11:23:34
 
大部分磁芯厂都是靠美磁标准,计算应该是一样的,窗口也应该是相同的,目前61匝应该是碰巧刚好,线已经用到最粗,一般超过50%窗口占用就已经很难绕了,目前8A/mm2的载流密度和11.5W的直流铜损已经很大了,你再增加匝数,铜损就会急剧增加,确信这是你需要的?
不超过600V电压应力你选用1200V的二极管,当然发热厉害了,换成600V的温度立马就OK了
xiaolinjob
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LV8
副总工程师
  • 2020-5-8 19:46:24
 
刚才试过用NPF184040(铂科的铁硅磁环)D1.6绕80Ts(测感量为550uH)试过,还是在同样的带载下出同样的问题,没有改善。关于磁环的发热,先前测试过带载到4.5KW(当时未留意到MOS开关中断现象),磁环的温升较低;关于升压二极管的发热,用这个耐压高的,主要是其反向恢复速度比同品牌同系列的600V(此管在另外机型上用过出现过炸管)的快,所以用它。  版主有更好的磁环(首选184xxx)和二极管请推荐
nc965
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  • 2020-5-9 13:21:18
 
1、双踪测试判断干扰是不是真的
2、总体布局按27楼示意修改
3、功率2.75KW,频率65KHz,按纹波2/3考虑,峰值电流26.7A,Boost电感需要L=130uH:
     NPS184026需要67匝,空载感量265uH>2L。需提高频率到69KHz、匝数减少到64(空载242uH、满载122uH)才能适应
     NPH184026需要56匝,空载感量185uH
     NPF184060C需要53匝,空载感量379uH>2L。需提高频率到87KHz、匝数减少到38(空载195uH、满载97.5uH)才能适应
     NPH184060需要47匝,空载感量298uH>2L,需提高频率到77KHz、匝数减少到40(空载216uH、满载110uH)才能适应。建议按此参数实施,之前你绕过80匝,正好双线并绕40匝,铜损达成最佳:    
            12.png

4、二极管APT60DQ60BG,比APT60DQ120BG好用很多,还可以考虑不用绝缘垫以利散热。

            13.png

5、电路还有问题,可能导致PWM丢失,等前面的事一件一件搞定以后再议
xiaolinjob
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LV8
副总工程师
  • 2020-5-28 16:25:15
 
还是存在大问题,加载到大约3KW时有炸管(其实上一版后来调试也出现类似的问题或隐患)。
唉,真难搞呀!真想不到第二版时居然带过4.5KW(只是因驱动中断而不再上调负载了)
nc965
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  • 2020-5-28 22:02:51
 
我很多年前搞电源就和你现在一样,不计算,靠估计,能运行,自信满满,但很容易炸机。要解决你的问题,摆脱目前的困境,取决于你对我前面的楼层愿意有多少理解。
xiaolinjob
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LV8
副总工程师
  • 2020-5-29 08:33:56
 
并非没有计算。相反,我对每个常用拓扑的各种模式都编写有计算表格(之前贴出的只是其中一小部分)。
电源这东西,计算是肯定要的,但实际中也不能盲从计算。
nc965
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  • 2020-5-29 08:49:53
 
那么你对铁硅铝电感的计算是什么结果?不盲从它的值然后取的什么值?
xiaolinjob
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LV8
副总工程师
  • 2020-5-8 11:33:20
 
在动手之前,提交一个用同样方案同大小铁硅磁环做7KW(400V输出,且其工作频率只有50kHz)项目成功的贴子:https://bbs.21dianyuan.com/thread-298647-1-2.html。虽然我要做的输出电压高,但是功率也小呀。我用自编公式算他的感量为319.3uH(见附图),他实取340uH;而我这个机型的计算感量是431.1uH(见附图),实取500uH,却在带载仅3.5KW即出现MOS开关波形中断。恐怕单就磁环未选合适难以解释。
(注:只看感量,磁通密度及匝数请无视)
7KW 400V 50KHz.png
5.5KW 465V 62.5KHz.png
nc965
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  • 2020-5-8 11:39:42
 
我看你还没明白,还是晕的
铁硅铝磁环,电感量是随电流增加而急剧减少的,这是它最基本的特性。你计算出来319uH,做出来也是319uH,放到电路里就不是了。
他个贴就是瞎扯淡,你也信?
nc965
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  • 2020-5-8 11:05:58
 
差模电感估计你也搞错了,也要用26u的环,77256最多38匝。建议30匝,以减少5W铜损。
12.png
ZHIYIyunmeng163
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LV8
副总工程师
  • 2021-5-30 21:53:24
  • 倒数7
 
请问下100A200A的MOS布局怎么优化呢
nc965
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  • 2021-5-31 08:54:22
  • 倒数6
 
焊盘靠焊盘布局就最大程度规避了过流问题
winway
  • winway
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  • 2022-3-31 16:54:58
  • 倒数5
 
你这个电路有测试过没,能正常工作不
tmcent
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  • 2020-4-21 13:03:31
 
最好能屏蔽一下
xiaolinjob
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  • 2020-4-21 14:35:32
 
屏蔽哪个器件?电感?
deep_thought
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  • 2020-4-22 16:42:30
 
两路MOSFET是共用散热片吧?如果是,有可能是通过散热片耦合的噪声。
xiaolinjob
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  • 2020-4-22 19:29:34
 
4个MOS+2个升压二极管都是共用的同一块块散热器,只是管子背面垫的不是矽胶片,而是陶瓷片,厚度1.0mm
deep_thought
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  • 2020-4-23 08:22:21
 
首先,要排除是否示波器探头的噪声耦合。让探头与它的线远离主回路。探头穿过一个几圈的共模电感。或者把要观察的点焊2条双绞线出来,探头在板外观察波形。
散热片应该有接参考地吧?
现在的问题应该是有一个很小的寄生耦合电容分布在两组MOSFET的漏极电路之间。可能是散热片或者你提到的陶瓷片之间,或者PCB铜箔之间。
有一个方法可以验证到,就是在两组MOSFET的漏极间有意连接一个100PF 1KV的电容,看是否漏极的对应点的尖峰电压显著变高。
闪烁
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  • 2020-6-1 22:06:12
 
最近也在做6KW的PFC,也是遇到各种问题
闪烁
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  • 2020-6-1 22:14:28
 
我双路电感,每个也是选择500uH;我控制芯片用的是UC3854B,也是出现跟你一样大功率,PFC掉载;我的问题是前面PFC补偿计算电压有效值跟给定电流的计算乘积溢出了,修改后就可以正常运行了,关于你计算PFC电感的参数感觉我跟你一样,考虑满载的时候得到计算的感量值,有铁硅铝做是这样的,电感随着电流增大感量下降;空载感量大,大载感量小,这样刚好保证了在小负载的时候,电感比较大,PF值也比较高;
闪烁
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  • 2020-6-1 22:15:58
 
还有看看你黄色波形的干扰,是不是你辅源那边耦合过来的?
闪烁
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  • 2020-6-1 22:21:23
 
我走线也是没怎么讲究,就是看怎么摆能放下所有东西,也都还好没什么大问题
微信图片_20200601221857.png
xiaolinjob
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  • 2020-6-2 09:39:55
 
       大师看看我46楼的PCB,我自认为这个PCB的走布局走线已趋于相当好了(谁要是再说PCB有问题,我是不服气的)。去扰(无接地夹,探头最连接最短化)实测到管的Vgs波形非常理想,Vds的电压应力也只有Vo那么高。
       驱动芯片用的是TC4424A;MOS管、升压二极管的均加RC吸收471+100K。感量400多uH(再小再大也都试过,效果不理想);其实关于感量,大一点和小一点无非是影响delt_Li。而包括铁硅铝在内的所有合金粉芯,虽然Al会随NI增大而变化,其实对于因负载变化而需要的不同感量来说是合理的。只是不要选磁环的Al太小而使得N太多致使因NI太大最终在重载时实际Al太小。目前我用了(科达)铁硅铝KS130125A*4,选这个就是为了减小N,但也无改善。
       现在的问题主要是电感电流Il波形(靠金膜电容侧测试)在每个开关周期的峰顶和谷底都有尖刺,(怀疑是这个RIGOL电流控头不好)但就算有输出端测Iin也能看到点影响。再有就是加载到3000多W时有貌似出现MOS要停止工作的情况,不敢再加载了,容易炸MOS(每次只炸一只,其它所有器件均无损坏)。而我先前最大是带载到4500W工作过约30分钟的(当时的Iin波形一般,但比现在好,只有每个正负半周峰/谷点过后有约1.2mS的中断)
ruohan
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  • 2020-11-25 16:55:46
 
其实你这各板布的很漂亮了,
xiaolinjob
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  • 2020-6-2 09:49:16
 
这个问题早就解决了。测试方法不当,第一版PCB的布局走线也有问题。后来改了,此问题消失。
nc965
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  • 2020-6-2 10:19:08
 
按照27楼的布局展开,大致应该是这样,仅供参考
12.png

6KWPFC.zip

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wwll053
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  • 2022-9-21 14:07:22
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版主,晶体管的散热片取大电容正极吗?
nc965
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  • 2022-9-21 16:47:40
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金属散热器应该接地,但要就地,可以串Y接,也可以直接接母线正负极,Boost二极管铜头正好接母线正极,过流、散热、绝缘、就地四相宜
wwll053
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  • 2022-9-21 14:08:55
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另外看28070的取地离大电容负极比较远,会不会受功率路的干扰较大
nc965
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  • 2022-9-21 17:14:43
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1、28070后级有两路驱动芯片、每路驱动两只MOS
2、驱动回路要开尔文连接,单独接到MOS的GS,两只MOS的开尔文接地点只能接到两个S的中点
3、开尔文的意思是尽量不与其它接地混淆,因此28070的接地也不能与它混淆 ----- 控制地尽量不与驱动地混淆
4、控制地接哪里呢?可以接大电容地,但有3个大电容,而且有了CBB电容,大电容就不再重要,2路2个CBB,取其几何中点,也就是CT2接地点接地。
5、既然认定了这个接地点,其他有机会接地的地方也不要接地,这叫一点接地


3.png
ruohan
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  • 2020-11-25 16:23:29
 
请教一下,那个波形倒沟,也是测试问题造成的吗,
如果是,是怎么测试出现的,
xiaolinjob
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  • 2020-11-26 09:15:53
 
任何测试,多少都有干扰,测得的东西不一定接近真实。把探头的接地夹线取掉,就短就近测被测点两端,能最大程度测得真实波形。

ruohan
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  • 2020-11-26 15:24:40
 
你那个波形看着可是个电流波形,不知道如何测试出来的,,



liuxingyu
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  • 2021-5-19 14:38:13
 
楼主你好,最近我也开始做ucc28070a设计的5kw PFC,参数我是按照官网的demo参考的,并用那个计算表格算的结果吗,电感采用铁轨铝50mm的300uh,互感器是国产南京向上的20A 1:200的互感器,其余电路基本差不多。现在带载1500W都可以,输出420V,但加大负载(我是加个开关连电阻负载)到1700W电压就掉到300V附近(交流整流后电压),电压就不升了,加大输出滤波电容没效果,减小互感器二极管后的电阻也没用(10欧),测试mos依旧有方波信号。10脚电压设置3.6V,监测互感器输出波形有干扰不过能看见500mv的三角斜波。请问电压跌落该怎么找问题?
liuxingyu
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  • 2021-5-19 14:46:27
 
互感器二极管整理后的波形,峰值也才500mv远远达不到设置的3V
a7405b619ad3e7264e153c1db0ec13f.jpg
xiaolinjob
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  • 2021-5-19 19:30:01
 
若按domo资料计算出来的PFC电感是比较小的,在实际中设计出来的PFC电感最好是demo算值的3倍,因实际多用磁粉芯环,其特性是实际磁导率是“软”的,也即磁导率u曲线会随NI增大而减小(最好查磁环手册,查实际的u-NI曲线上的u,确保估算电感L要比demo算出值L大)。我这个机用的是单个PFC电感用4个130125铁硅铝环(其u特性软但损耗低)合并绕的,感量250uH.
你遇到的情况加载掉电压得看看布局走线了。我的PCB上,金膜电容、MOS管、输出滤波的GND是一大片;交错两部分几乎是对称的;电流互感器是用EE19自绕的;升压二极管用了SiC;MOS的驱动GND直接从MOS_S回到驱动放大的GND。另外强调一个重点(之前我在这个问题上困了很久,都没有大伽指点上),如果MOS管的Coss较小的话,需并接电容Cds以降低互相干扰。

liuxingyu
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  • 2021-5-19 20:13:46
 
你好。电感我这个应该没问题,因为是300uh,也是比你的大的,而且采用的铁轨铝磁芯是低磁导率的,厂家说通电下电感降低的幅度会低于那些高磁导率电感。PCB布局上也是一大片地,且俩mos部分很对称直接复制粘贴过去的,二极管也是sci的20A,MOS是60A的进口mos(一路一个),在1500W以下带载看有97%的效率,pf也是0.99,基本是桥堆发热了。交错的MOS间间距比较大(70mm)应该不会像你那样互相干扰吧,我应该不用并电容(如果是mos问题会发热或者波形异常)。唯一的问题感觉是互感器,因为当时设计没买互感器,预留的槽比较小,实际买的比较大是飞线连接的,也很靠近PFC电感。我现在就是加载掉电,能听见打嗝的声音(貌似尝试启动的动作),听起来像保护,可是电流理论上也没达到设置值鸭,监测VCC也是比较稳定的13.2V多(工作时13.2V 加载掉压后13.4V这样)。我现在调了很多阻值都没效果,增大占空比无效,我尝试一直减小电流电阻(5欧),但这样甚至1000w就掉压了,我就把阻值改大改回去成10欧了,我试了在8欧-20欧都表现为最大1500W。现在只能调到最大1500W,有时候也会遇见1700W保持了1秒,然后掉压了。感觉很绝望。

手上仪器也很少,只有电压探头的双通示波器和输入的功率计(看pf和效率),请问我该测一些什么数据呢能找到问题(比如一些引脚电压啥的),或者示波器看什么的波形。我的互感器要不要移动位置。或者还有什么其他参数可以改?
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  • 2021-5-20 08:42:38
 
你才1700W就不升压,需要检查一下电流互感器下地电阻大小(我用的约15欧),还需保证这个地就是芯片外围的地,检测电阻(我用1K)到芯片距离要短,消噪电容(我用331)要靠近芯片脚。
liuxingyu
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  • 2021-5-20 09:07:21
 
互感器二极管后对地电阻是10欧,再小也不管用。VCC到CAS/CSB都是1k,电容我是471(没有331,换了221也没效果)。
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  • 2021-5-20 13:38:49
 
把PCB贴个图看看。
liuxingyu
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  • 2021-5-20 13:53:30
 
上下mos之间是互感器的位置
微信图片_20210520135243.png
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  • 2021-5-20 17:12:57
 
你这PCB上,芯片地是从哪个位置引出来的看不清楚,电流互感器的回地最好是单独直接回芯片地,驱动芯片的地就不要跟其它地相连了,直接接在MOS_S脚上(同侧MOS最好隔电阻共用驱动)。这样先看看效果,带载功率应会提升。除了MOS的驱动信号外,其它脚位不建议测试,因为测试本身就会带来干扰。效果可以的话,后续还要再改改PCB上的布局,功率走线要粗、短、环路要小。带载功率大了后,你这PCB不修改真不得行。

liuxingyu
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  • 2021-5-20 17:33:27
  • 倒数10
 
好的。后面试试改pcb,大佬能否看看你电压电流环的参数。你互感器是什么参数?
xiaolinjob
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  • 2021-5-20 18:22:16
  • 倒数9
 
下地30并33欧,检测1K, 消噪331,互感器EE19   1:210
你这个机型问题还比较多,我的建议也只是一家之言,建议另开贴广纳各家建议。
liuxingyu
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  • 2021-5-21 14:21:55
  • 倒数8
 
好的。开新帖了吗,大佬你可以详细看看我的参数https://bbs.21dianyuan.com/forum. ... p;extra=#pid1380630
liuxingyu
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  • 2021-5-20 15:25:43
 
我发现正常情况下18脚SS电压是接近6V,加载后跌落到2V,并且充电充不上去,属于涨到2.4V然后跌落2.2V然后如此循环。看起来就像保护了一样
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