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|  |  | | | | | 示波器没问题。如图，框中的尖峰随母线电压升高而升高，300V时尖峰高达12V（驱动高电平为15V），改驱动电阻，调GS处的RC，尖峰有所降低，但功率上升时MOS发热又升，所以改此处不能解决根本原因。
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| | | | | | | | | 如图，“红框1”处当上下管开关时的VDS波形出现明显交叉时，这时就不会在驱动信号VGS产生尖波干扰；“红框2”处当上下管开关时间过快，VDS波形几乎重叠时，这时必定在VGS上产生尖波干扰。
现请教一下大师们，在全桥逆变MOS管硬开关时，有没有办法（或改什么器件参数）来改变“红框2”处上下管开关时间过快的问题，即使其变为“红框1”处的波形！
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| | | | | | | | | | | | | 有加二极管，驱动电阻加到100R后MOS管在1000W时就发热比较严重，只能改回47R
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| | | | | |  | | | | | | | | | 把驱动加大到100欧，关断电路使用9012试试，用PNP型三极管关断,关的应该快些。现在占空比是多少，可以48%，把死区留够，拓扑里加隔直电容了吗?
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| | |  | | | | | | | | VDS未见尖峰毛刺，框2的波形比框1更高效率（至少2个点），建议框1向框2看齐
至于VGS毛刺，大部分应该是背景噪音，少部分是弥勒噪音，只要不影响VDS，不用整改，没有经济效益。
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| | | | | | | | | | | | | 您好，您说的VGS尖峰毛刺没有影响吗，我现在母线电压调到330~360V时，测试时出现右桥臂无规律的炸管，监测波形只发现VGS上的尖峰毛刺，不知道右桥臂无规律的炸管是否与此有关，谢谢！
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| | | | | | | | | | | | | | | VGS尖峰毛刺可能是假的，即使是真的，只要不影响到VDS（上没有对应的波形）就不必理会。
从你的波形看，VDS与VGS存在可观的时间差异，要找到原因，否则随着占空比的提高，很容易湮灭安全死区，造成直通炸机
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 您好！驱动信号VGS是留有400nS左右的死区，但VDS导通却不控VGS控制（上管关断必须要等下管导通），不知是哪里出了问题，帮忙分析一下，谢谢！
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 拿掉GS电容后，VGS上的毛刺尖峰更高，15V的电平，母线电压300V时尖峰就到了12V（怀疑右桥臂炸管可能与这个尖峰有关），C23有什么问题？谢谢！
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 那就加大GS的电容，改成222或者332，截止电路换PNP型三极管试试，怀疑炸管是直通引起的，把示波器的各个端口同步一下，看看是否有延时差异。然后再测试每个臂上下管的VDS波形，看看是否确实存在直通现象。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | VGS毛刺尖峰更高有什么关系？它又不能卖钱，不炸机、高效率才能卖钱，明白？
C23的问题是它在拓扑里扮演什么角色？参阅： 逆变电感设计 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 谢谢，滤波的LC是按开关频率等计算得出的，应该是没什么问题，当前除了测到VGS尖波异常，其它没发现有异常，但仍有无规律炸管。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 我的观察，尖峰没有异常，弥勒异常、上升下降沿异常，以及由此造成的死区异常。C23也异常，拿掉
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| | | | | | | | | | |  上灌的VDS怎么不跟着VGS下降而升高，反而跟着下管的VGS，你上管VDS是怎么量测的
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| | | | | | | | | | | | | VDS波形是示波器探头接在IGBT的C、E极，您说到的VDS与VGS不同步的问题，也是我分析不出的问题  ，上管关断要等下管导通，而不是受VGS控制，能否帮忙分析，谢谢！
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| | | | | | | MOS管的DS调过RC，电容从470p~10nF都试过，对VGS的尖波能减少一点（12V降低到11V），但不能满足要求，且RC再加大会增加损耗，但对尖波基本没法再有效降低。
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| | | | | | | | | | | | | 选内置快恢复的IGBT，还有走线搞好点，驱动电阻在可接受范围加大
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| | | | | | | | | | | | | | | IGBT管子换了几种，走线也调过（新改PCB），驱动电阻调到62R算是比较合理了，但尖峰在母线电压到360V时仍有10V左右，测试过程中右边桥臂无规律的炸管，不知与这尖峰干扰是否有关，谢谢！
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 1.上管导通时刻，下官承受的是母线电压，既此刻上下管之间的电压为BUS,当上官关闭后，上管VDS电压为VBUS-VBUS=0,所以你的上管VDS电压没有变化2.上管关闭后，下官开通时刻，上下管之间的电压由VBUS变为0,所以你上管VDS电压开始变为VBUS
3.由于上管和下官之间的电位由BUS变为0 ，导致上官寄生电容DS GS 与 DG有个充放电回路，引起VGS瞬间出现电位升高的情况
清楚了这些状况后，要想办法让动态地发生突变时变化慢一些，驱动线路要短，再或则换个不同参数的管子，这种情况时一定会存在的，只要这个电压不引起管子二次导通，不超过Vth就可以了,你的驱动芯片可以换成带钳位功能的光耦，电流源受影响会比较小
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 谢谢！VGS上的毛刺尖峰与您分析吻合，是上管关断时结电容导致，换过几个品牌的管子，效果最好的，VGS上的毛刺高度仍有10V以（母线360V时）
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 我认为负压关断的目的就是防止串扰引起二次导通的措施 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 管子的驱动内阻对这个尖峰影响也挺明显的，你可以考虑管子选型的时候选择驱动内阻小的管子。
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| | | | | 这个黄色是上管的驱动，那个关断期间的尖峰，如果是真实存在的而不是测试的干扰尖峰，可能会直通炸管子了
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| | | | | 一个是加图腾柱驱动试试，不过DS引起的驱动尖峰图腾柱理论上没啥抑制作用，但是可以保护你的驱动芯片。 另外一个就是 ，驱动加负压，尖峰虽然还有，但是可以压制到0V。 还有就是，用米勒钳位芯片来驱动。 理论上降低DV/DT能有效降低串扰尖峰，但是缺陷就是MOS损耗变大。
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| | | | | | | 谢谢！问题已经解决了，导致高电压炸管与GS上的毛刺无关。是PWM整流时产生直流分量过高，调整PID参数解决了。
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