| | | | | 计算过程不给出来谁知道你怎么算的啊。
你这么大有问题,估计功率出不来了。 |
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| | | | | CCM模式,电感是会稍大的。
还有就是你的占空比可能选得太高。 |
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| | | | | | | 200Vdc,0.33占空比,60kHz,变化1A 结果得:1.1mH |
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| | | | | 最好是将你的计算公式列出来,看是不是哪里套用公式不当,还是怎么样,才好帮你分析 |
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| | | | | | | MOS管选择
VDS=650V
VDS的余量为100V
1) 反射电压:Vf=VDS-Vinmax-100V=176.7V=176V
2) 则变压器匝比:Np/Ns=Vf/(Vo+1)=13.54
3) 最小输入电压,最大功率状态下,伏秒数相同:Vinmin*Dmax=Vf(1-Dmax)。由此可以求出:
4) 为了避免峰值电流过大,在这里假设原边电流:Ip2=3*Ip1。这样根据能量守恒:
1/2·(Ip1+Ip2)Vinmin·Dmax=Po/η (效率选80%)
由此得出:Ip1=0.72A;Ip2=2.17A。
5) 根据电感器基本公式,可以得出原边电感量:
Lp=T·Dmax·Vinmin/(Ip2- Ip1)=131.4·10-5H=1314μH
因为要保留15%的余量,所以原边电感量为1640μH±15%。
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| | | | | | | | | 650V的MOS管反射电压取176太高了,MOS管肯定抗不住 |
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| | | | | | | | | | | 100V的余量不够么,但是我这个电源要求效率在80%以上,如果反射电压太低的话,原边电感量太小,占空比太小,我担心效率会达不到 |
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