| | YTDFWANGWEI- 积分:109912
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| | | | YTDFWANGWEI- 积分:109912
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积分:109912 版主 | | | | | 先占好位置,等寿工作品 |
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| | | | | 这几日在新公司忙得极少有空闲,待画完示意图,立即上传..... |
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| | | | | | | 如图,当Q1由导通转为截止,UO接近VE+,此后Q2导通.....在这种特定的状态下,如图1,Q1的G极开路,会发生什么情况? 如图2,Q1的G极、S极短路,又是什么情况? |
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| | | | | | | | | 领导,没发现什么不一样啊,第一个图开路时候是Q1的交越损耗关断损耗?第二个图是G,S短路Q1不开通,难道是Cdg+Cds???不明白啊,楼下的兄弟继续啊。 |
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| | | | | | | | | | | 难道是Cdg+Cds???.........我也是这样认为的。 |
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| | | | | | | 图3是光隔离或浮栅驱动,图4、图5是变压器隔离驱动..... |
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| | | | | | | | | 禅师,这个正常的。
上下桥臂MOS开通的时候,那个阻尼震荡引发的DS两端电压电流跟着出现阻尼震荡,会串扰到另一个MOS的G极。为什么会这样我也不清楚,传送途径可以确定就是MOS本身。我看你画的图觉得你有短路MOS gs端测试干扰依然在。
这个阻尼震荡串扰会导致上下桥臂误动作而MOS直通,严重炸机。
解决方案也就那么几点
1.增加Rg电阻
2.mos g 环路需最小电感量,增强layout
3.负压关断MOS
4.可以尝试在MOS G上面加磁珠消耗阻尼效应,我用的比较少,这方法,是否有效自我评定。 |
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| | | | | | | | | | | | | 没拉负压,测量gs端串扰不超过4V,不然会有这问题。 |
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| | | | | 令人不解的是16楼的图2,流过Q1的电流并不完全象是流过“电容” 的电流...... |
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| | | YTDFWANGWEI- 积分:109912
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| | | | | YTDFWANGWEI- 积分:109912
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积分:109912 版主 | | | | | | 我也不知道, |
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| | | | | | | 真正发现问题是从实验28楼的电路开始的,在做单端正激使用时,Q1、Q4等效于一个二极管,
但与普通二极管相比,Q1、Q4不仅仅存在较大的等效分布电容大,而且还有可能会“瞬间微导通”。 |
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| | | | | | | | | 领导,感觉有点不通啊,因为Q1关断的时候,应该有段死区时间,Cgd应该一瞬间就充满电了,纵然有很大电流到G极,那减小GS极的电阻或者选择选择门槛电压较高的管子是不是可以避免掉这种状况的发生? |
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| | | | YTDFWANGWEI- 积分:109912
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| | | | | | | | | | | 驱动G是直接接地的吗........等效于接MOS管自己的S极啊! 这是AC380V/AC220V自动切换的特种电源电路。 |
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| | | | | | YTDFWANGWEI- 积分:109912
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积分:109912 版主 | | | | | | | 那么,上管的驱动是通过什么驱动的,所谓的自动切换是如何切换的,也就是如果保证MOS管的G是通过驱动电阻连接到S的? |
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| | | | | | | | | | | | | | | 光耦、变压器隔离的都用过。
切换用220V/380V识别电路+防误动作+逻辑控制。 |
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| | | | YTDFWANGWEI- 积分:109912
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积分:109912 版主 | | | | | 在你所说的瞬时微导通的过程中,MOS管的栅极是严格处于关闭状态?没有受干扰或感应产生短暂的高电平? |
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| | | | | | | | | | | 某些MOS器件,G、S短路也会因dV/dt而受干扰。 |
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| | | | | | | | | 怎么我觉得是双端正激呢,Q1,Q4微通,会不会是接近MOS的dV/dt 的极限了? |
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| | | | | | YTDFWANGWEI- 积分:109912
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| | | | | | | | YTDFWANGWEI- 积分:109912
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| | | | | | | | | | YTDFWANGWEI- 积分:109912
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积分:109912 版主 | | | | | | | | | | | 肯定要多管并联的,不过功率这么大,并联的管子肯定不少,布局也很难的。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 开始对拓扑的实验是用ST的1500V MOS管,100KHz~130KHz,小功率的。最后变为产品时,实际用的是IGBT 40A/1200V 20KHz~25KHz,变化很大。
而本帖讨论的是MOS管在桥拓扑中的另类损耗,有点跑题了..... |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 正式的产品的效率是很底的,36KW满载效率才86%~87%! 而不计成本的样机,36KW满载效率约92%~93%。大电流整流器件的性能还有待突破。 |
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| | | | | | | | | | YTDFWANGWEI- 积分:109912
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积分:109912 版主 | | | | | | | | | | | 我擦,你更改什么?能提高5个点效率?那就是1.8KW的损耗啊? |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 王工,看晶版说的最后的一句话,猜测应该是整流二级和续流二极管上面下的功夫。 |
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| | | | | | | | | | | | YTDFWANGWEI- 积分:109912
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积分:109912 版主 | | | | | | | | | | | | | |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 改变变压器的铁心截面积、磁摆幅、开关频率、开关管的型号规格、输出整流管的参数型号与工作电流余量、输出电感的选材、铜线电流密度....... |
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| | | | YTDFWANGWEI- 积分:109912
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积分:109912 版主 | | | | | 这种拓扑,做单端正激使用时,如果将Q1\Q4换成二极管,损耗能降低多少W? |
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| | | | | | | | | | | 曾对比过空载时的静态功耗,详细数值记不得了,用15TB60(220V供电时),要比用MOS管要小不少。 |
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| | | | | | | | | | | | | 36kw,220V供电,这电流。。。。。一个普通的电力变压器60kw |
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| | | | | | | YTDFWANGWEI- 积分:109912
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积分:109912 版主 | | | | | | | | 单相,36KW,确实用途很特殊,电焊机到这么大功率应该三相输入了吧? |
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http://download.21dianyuan.com/attachments/jpg/2014/07/08/140482781653bbf8a86d5d8.jpg" onmouseover="img_onmouseoverfunc(this)" onload="thumbImg(this)" border="0" alt="" />
Q2刚开通瞬间,Q1的D、S间从0急变为Vin,使Cgs通过Cgd充电,
由此产生栅极/源极间ΔVgs=ΔVds(t)*Crss/(Ciss + Crss)的峰值电压,ΔVgs达到或大于Q1的Vth,会有“瞬间微导通”。
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| | | | | | | | | | | 发生这样情况,Q1、Q2会有几十ns的同时导通
进而产生损耗,不知这是否就是楼主说的“另类开关损耗”?
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| | | | | YTDFWANGWEI- 积分:109912
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积分:109912 版主 | | | | | | 反过来再看这个帖子,突然有些明白了,这应该就是许工说的MOS管的DS之间的DV/DT造成的弱直通现象,寿工有没有试过,将RG也短接后损耗的变化? |
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| | | | | | | | | | | | | 将RG也短接后损耗的变化?.........有时间的话,还想做很多实际的测试。 在正常的驱动电路里,Rg短路是会很容易出问题的。 |
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| | | | | | | YTDFWANGWEI- 积分:109912
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积分:109912 版主 | | | | | | | | 我说的是q1、q4的驱动电阻,而不是正常工作的管子。我觉得你说的问题应该是许工帖子里提到的微直通现象。 |
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| | | | | | | | | YTDFWANGWEI- 积分:109912
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积分:109912 版主 | | | | | | | | | | 许工的帖子,我的净下心来慢慢看,才能一点一点理解。 |
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| | | | | | | | | | | 赞同,就是这个原因,但是不好通过datasheet里的crss、ciss来做评估,因为这种参数和实际应用差别很大,即使通过频率和VDS与寄生电容的那个图也解不出来,不知道有什么好方法 |
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| | | | | 曾经用实验方法测试过上臂MOS管G、S短路,下臂MOS管导通的“桥臂”电流波形,与MOS管导通电流对"纯粹的C"充电的电流波形不同,只是现在找不到波形图片了。
用回忆画个大致的波形,供有兴趣的兄弟们分析。
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| | | | YTDFWANGWEI- 积分:109912
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| | | | | | | | | | | 还不清楚内在的道理。
估计换个品种的MOS,会是另一中波形..... |
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| | | | | | | | | | | 猜测应该不是“恒流”导致的.....不过产生这种现象的机理,我也不懂。 |
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| | | | | MOS FET开关损耗,到是很少听说,静待楼主的分享 |
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| | | | | 请教楼主,我做了一个推挽的开关电源,TL494驱动的,加了个图腾柱,出来的波形很好,但是就是接上mos后方波的下降很缓慢,怎么解释啊? |
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