| | YTDFWANGWEI- 积分:109912
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积分:109912 版主 | | | 在D上并联电容后,不就相当于在变压器原边并联电了吗? |
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| | | | YTDFWANGWEI- 积分:109912
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积分:109912 版主 | | | | | 如你下面的分析,并不是说有电容一定会震荡,要看电容的大小。 |
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| | | | | | | | | | | 对的,而电容仅仅是差了这么一点点,RCD二极管的结电容完全有可能达到60pf,那么如果不慎选择了60pf的结电容的二极管,那么电路就直接振荡,除了换结电容小一些的二极管这个的解决方法,还有其他补救措施吗?
况且,万一电路的其他影响,造成就算只有15~30pf结电容的二极管都能引发谐振,那么更换更小结电容的二极管便成了不好实现的方法,此时必须要出另一种方案。 |
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| | | | | | YTDFWANGWEI- 积分:109912
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积分:109912 版主 | | | | | | | 结电容大一些的二极管,也应该不会引起震荡,比如你直接在变压器原边并联一个几十P的电容,会震荡吗? |
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| | | | | | | | | | | | | | | 这张图里,我在RCD的二极管两边并联45pf电容,加上二极管30pf的结电容,也就等效于在变压器原边并联75pf的电容了吧?
结果却是振荡的。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | 看到nc965提出的一个办法:可以在ripple处加一个RC来吸收掉产生的ripple,其中C可与振铃(结)电容大致相当.
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| | | | | | | | YTDFWANGWEI- 积分:109912
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 嗯,是的,的确,这个是RC吸收,但是原话是这样的
虽说它的不是RCD的D和电感形成的谐振,这和我的同样都是因为二极管结电容和电感L形成的选频谐振,所以我感觉应该作用机理一样的吧?可以用同样的方法消除
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| | | | | | | | | | YTDFWANGWEI- 积分:109912
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积分:109912 版主 | | | | | | | | | | | |
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| | | | | | | | | | | 个人认为,改变开关频率或者初级绕组感量会是一种办法,但是这样做影响的东西比较多,需要做出的改动比较大,所以我觉得这只能是作为一种不得已的方案。
不知有何其它更好更便捷的方案不?
或者从一开始设计的时候就能完全避免此类情况的发生? |
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| | | | | | | | | | | | | PN结电容分为两部分, 势垒电容和扩散电容。 势垒电容PN结交界处存在势垒区。结两端电压变化引起积累在此区域的电荷数量的改变,从而显现 电容效应。当所加的正向电压升高时,PN结变窄, 空间电荷区变窄,结中空间电荷量减少,相当于电容放电。同理,当正向电压减小时,PN结变宽, 空间电荷区变宽,结中空间电荷量增加,相当于电容充电。加反向电压升高时,一方面会使耗尽区变宽,也相当于对电容的充电。加反向电压减少时,就是P区的空穴、N区的电子向耗尽区流,使耗尽区变窄,相当于放电。PN结电容算法与平板电容相似,只是宽度会随电压变化。扩散电容PN结势垒电容主要研究的是多子,是由多子数量的变化引起电容的变化。而扩散电容研究的是少子。在PN结反向偏置时,少子数量很少,电容效应很少,也就可以不考虑了。在正向偏置时,P区中的电子,N区中的空穴,会伴着远离势垒区,数量逐渐减少。即离结近处,少子数量多,离结远处,少子的数量少,有一定的浓度梯度。正向电压增加时,N区将有更多的电子扩散到P区,也就是P区中的少子----电子浓度、浓度梯度增加。同理,正向电压增加时,N区中的少子---空穴的浓度、浓度梯度也要增加。相反,正向电压降低时,少子浓度就要减少。从而表现了电容的特性。所以二极管的结电容在正偏和反偏时是不同的,不能直接并上电容来等效二极管的结电容。
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| | | | | 个人先带头分析一下可能的原因:
RCD的D一般来说本生就寄生了15~60pf不等的寄生电容。然而这一般并不引发谐振。
此设计中采用的是FR157作为RCD的D,经查阅datasheet,它的结电容为30pf。
然而再并联15pf时,还未引起谐振,原边绕组电感为2.9mH,
当并联30pf或者45pf时,引起谐振波形。经简单计算得,2.9mH和60pf(并联30pf的情况)的谐振频率为382kHz,貌似符合谐振波形的频率。
不知大家有何其它高见? |
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| | | | | | | 并联30pf或者45pf时,引起谐振波形。经简单计算得,2.9mH和60pf(并联30pf的情况)的谐振频率为382Hz,貌似符合谐振波形的频率。
,,,,,382Hz,,你算错了,,, |
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| | | | | 现在提出另外一个比较便捷的解决方案,供大家参考和讨论。
可以采用磁珠吸收,只要磁珠在这个振荡频率表现为电阻,即可大幅度吸收此RCD支路振荡的能量,从而避免因为RCD的二极管结电容或其它原因而发生的振荡(不过不恰当的磁珠也可能增加振铃) |
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