 |  | | | | 请大佬们留下点意见建议啊，指点下方向，我现在没有头绪，不知道咋解决。。
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| | | | | | | 这么说的话，有可能是工作时发热产生大小波造成烧机，MOS管用多大的？是不是变压器已经饱和了？
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| |  |  | | | | | | 请问什么是大小波？ MOS管我现在使用的是11N65，变压器应该没有饱和吧，我看电流波形没有出现突变
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| | | | | | | 虽然损坏了这么多元件，都是因为你MOS导致的 1.确认MOS管型号，反压96V+265*1.414+尖峰，考虑开关机DS，至少要650V的管子；2.确认老化过程中输出是否出现了短路现象，短路瞬间VCC会升高很多，电源还没保护，栅极已经损坏导致MOS损毁。3.做实验时在MOS的栅源间加稳压管，这样就不会烧毁芯片了 4.楼主的布线和布局有待提高，尤其是次级。希望能帮到你。
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| | | | | | | | | MOS管型号使用的是11N65，650V耐压的，我实际测试波形的时候一般都是500多，没有超过600，应该是安全的。
老化过程应该没有短路，因为有一次我上电的时候也出现了这个现象，不知道是什么原因。
已经添加一个18V的稳压管，我再测试看看情况，谢谢指点。
板子很小，我布不下，我也是新手，确实需要多学习提高，谢谢你的指点。
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| | | | | | | | |  对，严格来说确实是变压器，VCC供电的匝比没有弄正常，我设置的就是20V供电，设计错误，改成15V稳压供电就没有问题了。
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| | | | | 1， MOS型号？
2，老化时输入电压？
3，开机启动瞬间Vds、Id波形及正常工作波形
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| | | | | | | 24V 6A, 功率不小啊，再说变压器也不大，吸收也很普通，这么大功率的反击电源，没有在细节上处理好，砸机没什么奇怪，我提几点建议。
1 LZ电路设计已经很到位，只是R12 R13 0欧为什么接在输出平滑小电感2端，虽然对砸机没有直接关系，但有可能电感两端的文波电流会影响电阻寿命。因为是0 欧。
2，光耦限流电阻4.7 K对24V输出偏小了点，应取1.2-2K， 光耦并的那个电阻1.2K，恰恰有点小了，这个电阻的目的是给431连续提供工作电压，1mA电流就可以，所以2个电阻应该对换一下参数。
3：分析砸机原因：有MOS耐压被超， 电压电流反馈环轻微震荡引起老化升温后更严重不稳， MOS GS驱动信号电压幅度过高， 再就是变压器温升后饱和，
一： MOS耐压问题，示波器可以观察到最大尖峰弧度在最高输入电压时的情况。反射电压120V以内设计，如果临街MOS耐压，最好选用高点耐压MOS，
二：电流电压反馈环, 3842电路电流环非常敏感，峰值型保护，一般不出问题，电压环431中心电路也非常好调试，3842的1 2脚阻容参数会影响反馈速率，要注意点，观察最大功率时老化温升到最高点是测试波形情况（条件是全范围负载电流，和输入范围电压）不震荡。如果是变压器饱和，前期会有异常波形和响声。
三：在反击式电源中重中至重的是MOS GS驱动信号的电压幅度。因为芯片VCC供电电压与输出PWM电压基本一致。一般反击电源VCC都是变压器直接整流提取，匝比是关键了， 取少了，低于芯片启动电压时空载不好启动，一直在跳变（侧7脚）。带一点负载才可以启动。 取多了轻载正常，但重载时，7脚VCC电压高出20V，那么MOS管就危险了，给砸机创造条件。为什么会这样呢？就是VCC电压取至变压器，受占空比影响，功率越大的电源更敏感
因此，这个绕组的圈数要以主输出电压圈数做比例计算，VCC电压值取空载时高出芯片启动电压1V-1.5V 重载时小于18v 如果设置不准，只好用18V-20V稳压管旁路（一般中小功率） ，对LZ这样的大功率反击电源来说：应该在VCC供电上用15V三极管稳压。这样就能保证。
另外提醒的是，很多人都在MOS GS集上对地用稳压管，这也是错误的，稳压管并不能保证MOS不会坏，又有可能加重芯片内部图腾柱电流负担。
以上3点内容都解决的话，保证你的电源再不砸机。
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| | | | | | | | | 1.MOS我是按照600V来设计的，现在选用650V的耐压来测试，应该没有问题，我实际使用示波器测试，满载的时候也不超过600V。
2.我上次观察到的时候，有看到MOS管的驱动波形突然变化比较大，这是因为变压器饱和导致电感参数下降吗？ 确实有可能，请问这个怎么能够比较直观的验证？
另，您回答的这个：
2，光耦限流电阻4.7 K对24V输出偏小了点，应取1.2-2K， 光耦并的那个电阻1.2K，恰恰有点小了，这个电阻的目的是给431连续提供工作电压，1mA电流就可以，所以2个电阻应该对换一下参数。
光耦电压一般在1.1-1.2V之间，所以我并了个1.2K的电阻，来保证431的1mA，24V选用4.7K，这样大概有4.5mA左右的电流，这个电阻取值应该没有问题吧，现在电压环是稳定的。
另外那两个R12、R13的0欧电阻，我是打算验证一下反馈放在电感前后有没有区别的，测试用。
7脚VCC电压高出20V，那么MOS管就危险了，给砸机创造条件。
为什么会这样呢？就是VCC电压取至变压器，受占空比影响，功率越大的电源更敏感
这个位置我不是很明白，能请您再给我解释一下吗？ 为什么VCC电压高了，MOS管会危险？
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| | | | | | | | | | | 这是个习惯问题，817有不同系数（放大倍数） 一般取至10mA为宜，提高灵敏度和批量统一性，
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| | | | | | | | | | | 任何MOS GS电压不能超出25V， 规格书可以查看，根据MOS导通最佳状态为12-15V， 不同类型MOS管有差异， 但反击电源再最大占空比时，这个电压也升高很多，如果有偶然过超就砸管，同时烧集成芯片，和限流电阻。应该是DG结先击穿。才会烧集成块。因此这个直接驱动信号值最大要控制在18V， 38系列 VCC电压7脚 与 6脚 PWM的电源幅度是一样的，没有限制。VCC 高了 ，PWM跟着高。
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| | | | | | | MOS管型号使用的是11N65，应该足够了，我是按照600V的管子计算的，就是因为经验不足，我用了11N65来调试。
老化时输入电压我用的是220，可能会有些波动，但最多也只到230
波形图已经更新，我再测试电流波形，一会再更新，请关注指点一下，谢谢了。
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| | | | | | | | | 空载时有轻微震荡，才会有捕捉到频率变化， 波形总体比较好， 关键看温升后，和VCC电压
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| | | | | | | | | | | VCC电压我现在设置的就是20V反馈，实际测量也差不多。现在GS的驱动电压在19V多，您是指VCC电压和VGS驱动电压太高吗？
为什么电压高反而会不稳定，不是电压越高，MOS管的导通电阻反而小一些吗？ 这个地方理解不了，请您再给我讲讲，谢谢！
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| | | | | | | | | | | | | 那就对了，你都大于19V了，可以断定 是VCC电压高了砸MOS管， 变压器设计的好可以空载10V- 满载17V， VCC 你加一级稳压吧，用三极管+稳压二极管，不要用二极管单个稳。
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| | | | | | | | | | | | | | | 听君一席话，胜读十年书，我去更改测试一下，非常感谢！
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 就是PCB画的不好，楼上还有位兄弟特意指出来了。 
这个板子是用AD画的。
我现在把供电电压，用三极管和稳压管，稳定在15V，现在在老化，看看情况怎么样。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 把VCC电源稳压15V，老化一晚上正常，应该就是这个原因，感谢指点，非常感谢！
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 我是做了一台样机，是有概率炸机，不良率统计不出来，因为是在老化过程中炸的，所以我不知道，我老化一晚上，在晚上的时候出现的。
也有过一次上电的时候炸，我有抓到过上电时VCC电压升高，但是没想过PWM的会升高，
现在老化一天一夜多，负载交替变化老化，没有问题。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 如果认为Vgs损坏，那么应可以测试到。用示波器测，高压满载时开关机抓驱动波形可知
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 一般管子Vgs是+-25V，建议测试下，如果在任何状态下都不超这个值，有可能是其它问题。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 老化到现在没有出现炸的情况，一切正常，我等会还原成原来的状态，把VCC供电稳压的部分去掉，然后再老化抓取VGS的波形，看看能不能还原炸机的情况。 |
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| | | | | | | | | 重载Vds波形正常。
测下高压满载启动Vds波形，变压器电流波形，看下是否正常
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| | | | | | | | | | | 高压264满载启动VDS用示波器看580+，变压器电流波形正常，大概从1.6A左右开始进入CCM状态。
应该就是楼上能源消耗老师说的，VCC供电太高，导致MOS管VGD击穿，损坏的，现在我VCC稳压到15V，老化一晚上暂时未出问题。
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| | | | | | | | | | | | | 最高VCC是19V吗？是偏高，但是应该还不容易损坏MOSFET的GS吧。一般MOSFET的GS耐压是额定20V，但是都有比较大的余量，实际可以耐到25V以上。你可以在板外单独用直流电压串联1K电阻加到你用的MOSFET的GS上做试验看看。是否还有其他问题？比如温度太高？PCB高压节点距离太近。等等。
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| | | | | | | | | | | | | | | 规格书写的VCC能够耐压28V，11N65芯片手册上面写的耐压是正负30V。
现在我把VCC稳压成15V，老化到现在没有异常。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 哦，这个就不太好理解了。或许有其他原因。另外，对于你的原理图，有以下方面，供参考：
C16不是Y-CAP吗？而且容量这么大。不需要初级与次级电气隔离吗？
R16多大？
C22这样接，似乎没有放电回路，斜率补偿电路无效果。
次级有431电路，初级又使用3842内置的运放电路，这个，有没有环路稳定性问题？
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 注意到C16居然是103 1KV，这显然不是Y电容，并且容量这么大，完全不符合安规。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | C7,C9和C16的容值，是我复制的时候弄的，没有更改，我调试的时候，没有焊接这三个电容。
R16我现在使用的是1K
这个位置的斜率补偿电路是正常的，实际测试波形也是能够补偿，这个位置没有问题。
这个环路稳定性的问题，我现在不知道具体是怎么计算的，不清楚会不会产生振荡，这方面还请指教。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 稳Vcc消耗大，可在驱动脚出来的位置放一颗20V-25V的稳压管。
当然或许是其它原因。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 在驱动脚单独放稳压管的方法最危险，稳压管电压低的话，很容易给击穿，稳压电压高的话，不起作用。稳压中等的话，稳压管上的损耗和温度也厉害。
还不如稳VCC （三极管+稳压管的方案）。把IC和MOSFET都保护到了。IC的功耗也可以控制的很好。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 这个位置的稳压管不是这样用，正常工作时稳压管不起作用，只用于异常电压或尖峰电压。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 稳压管前面没有大的限流电阻，抗尖峰电压或长时间的较高电压能力很差，非常容易被损坏。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 可以放在MOS G极下，我们的电源现在就是这样用的，没问题
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| | | | | | | | | | | | | 对于3842的VCC，这个也要查查你用的3842规格书，最高容许多少?
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