 |  | | | | 磁芯整体磨短这样的事是有的，要看你这个电感用在电源的什么地方，用途不一样当然是考量不一样，有的是因为产品自身结构的考量，还有是为了调整电感量等等。。。。。。
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|  | | | | 减小封装高度的一般措施，这时的磁参数最好以实测为准。
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| |  | | | | | | | 就是你1楼说那些参数，可能不再符合推演值，最好实测确定，如果不知道怎么测，就以温度确定。
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| | | | | 这个问题可以根据实际情况来具体对待 一般磨短是为了匹配电感磁通量来进行的 多是微调
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| | | | | | | 能否详细说一下电感磁通量？
AE没变，LP一般通过只磨中柱就改变，没想明白
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| | | | | 图中是我用过的变压器，其中PQ2020就是PQ2016加高的，当然骨架也是高些的，这两种都是标准的产品不用你去磨都有卖的；
那个PQ26/23就是用一个PQ26/20加一个PQ26/25，两个磁心扣起来就是了，骨架就是PQ2620加高的；
这种磨矮的变压器只有一个目的：变压器太高了，不得不磨矮，也许是装配会顶壳子，也许是为了降低成本，其它没有什么影响，你按正常的变压器设计就行了；
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| | | | | | | 之前还猜想三边同时磨，比只磨中柱发热少什么的  自己瞎捉摸搞死人
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| | | | | | | | | 其实这个三边柱磨短磁芯的目的，有的是为了降低变压器高度预防顶到电源的外壳或者影响到其他电子元器件装配了，而又的是为了能够更好的匹配骨架而刻意取磨短而已。我是做变压器这一行业的，经常都会用到这种三边柱研磨过的磁芯有所了解。
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| | | | | | | | | | | | | 骨架锯断粘回去是不可能的啦，由于有些骨架是非标的很难找到与之匹配的磁芯，在没找到合适尺寸磁芯来匹配这个非标的骨架的情况下，只能想办法找一个大一规格尺寸的磁芯来磨短使其与之匹配。还有另外一种方法就是找磁芯厂家开模，但是这样会增加成本，一般都不建议开模，除非真的量很大或者不计成本的情况下才会开模。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 我现在关心的是磁芯减小高度以后的骨架从哪里来？有解决之道吗？
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 李大师，可能不是很了解磁芯厂家那边研磨磁芯的情况吧。这个三边柱研磨磁芯只是按某些客户的需求来定制的，而不是磁芯厂家那边随意的去减小某个规格的磁芯的高度来匹配某款骨架的，这样对于他们来说是得不偿失的。其实说白了，也就是说磁芯厂家的所有规格的成品磁芯都是为满足某些客户或者市场上的需求而设计生产出来的。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 哦，明白了，非标骨架是客户提供的，你们不负责配套，也没有货源信息
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| | | | | 根据IEC标准的计算Ae,le的方法，以EE和Toroid为例，Ae是正比于高度的，le却与高度无关，相信PQ应该也是一样，那就可以认为Ae3218=0.9*Ae3220，le不变。
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| | | | | | | 此高度应该非彼高度，我认为是Ae不变，le减小。
就像上面的例子一半PQ2620＋一半PQ2625，Ae都是一样的，只是le减小了
在反激中柱磨大气隙的时候，对铁氧体而言le并不重要，只会影响到窗口面积Aw，所以只要线包绕得下是不用理会的
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| | | | | | | | | 高度不是这个么： 3220高度就是 2*h = 20
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| | | | | | | | | | | 如果是用环来做例子的话，我觉得里面提到的高度应该是如下这样的：
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| | | | | | | | | | | | | 你是对的，我弄错了。我也纳闷，为什么那个“高度”会影响Ae呢？呵呵。
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| | | | | | | | | | | | | | | " For Sale in India, Pakistan, Nepal, Bangladesh and Sri Lanka Only " 
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 穷人版？ 读书时有些书也是印度版，便宜但质量差些。
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| | | | | | | | | PQ磁芯的Ae是等效的概念（估计是与EE磁芯相比），并不是中柱的真实截面积，都比真实截面积大，因此不能靠几何计算求得，此种效应随着磁芯高度的非标降低是会受到影响的。
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| | | | | | | | | | | 高度影响Ae，这可能有点道理。谁有空可以算一下。
EE的看了一下，不影响。
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| | | | | | | | | | | | | 这多半不是计算出来的，实验科学，即使有人能算，估计也是经验公式，不过可以看看 Maxwell 能否仿出来。
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| | | | | | | | | | | | | | | 不，是根据几何尺寸用公认标准（IEC，国标）公式计算出来的。
一半PQ2620＋一半PQ2625，基本可以认为Ae不变，le是两者le之和除以2。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 这里有三个问题：
1、为什么PQ磁芯（规格书指定）的 Ae 会大于中柱截面积的几何计算值？
2、为什么PQ磁芯的 Ae 会与中柱高呈反比趋势？
3、磨矮的PQ磁芯的 Ae 如何取值？
听你的粉丝说你的功力深不见底，试试？
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 12是问答题，不是计算题，为啥要这样算的意思，
3才是计算题，同样的计算凭啥就不能移植到EE， |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 1. Ae是有效面积，又不是指中柱的截面积，为什么不能大于或小于。
2. PQ2016/2020，PQ2620/2625 的不是。PQ3225/3230的也不是（资料和33楼的有别）。
3. 移植？ 不明所指。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 没理解错IEC的话，任意一个既定PQ Core，增减其边柱长度l1，Ae 是不变的。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 只有一个东西是不变的，那就是磁材参数，所有规格的磁芯都是它（比如PC40），磁路参数因为几何特征过于简明，也不好变，如果有什么改变（与标准模型相比），只能拿Ae开刀，这才是这件事情的本质。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 等效的意思是啥？效果相等！电气效果相等，你以为是几何相等？说了不在一个频道。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 这句话的意思你都看不出来？几何等效？哈哈！真是好玩！
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 難道Ae,le本身不是幾何參數? 當然背後的意義和磁特性有關，自不待言。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 两位都是大佬，在论坛里活跃的帮小白解答疑问
三边同时磨短，Ae是否改变？
三边同时磨短，有没有公式计算电感值？
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 就拿EE、EI、PQ这种类型的磁芯来说，三边柱磨短怎么会改变Ae呢？这不是很明显的问题吗？三边磨短也就相当于磁芯的磁路长度减短了而已，跟Ae有啥关系呢？
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 把PQ2020磨成PQ2018，根据IEC和TDK数据，
1. 短了的部分包括两边柱和中柱，新Ae计得等于62.002，不变。(如果磨成PQ2016, 算得Ae=62.004，和datasheet一样的62）
2. 磨短后的le, 计算得等于41.76 。
还有的是，如果磨去的部分是气隙，则等效Ae不再是上面的Ae，而是需要乘以一个fringing factor Fr，Fr>1, 看截面积形状和气隙大小而定。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 无论何种磁芯，三边同时磨短，中柱截面积不变。
如果磨短的部分为气隙，总高度不变，可以认为等效Ae不变。
如果磨短的部分不（全）是气隙，总高度变矮，等效Ae会变大，只是程度不同而已，其中：
EE磁芯只要其中柱高不趋于0（或气隙），等效Ae的增加可以忽略不计。
PQ磁芯则会明显得多，其根本原因是PQ磁芯的磁路中有两段显著大于中柱截面积的扇形断面：
这会导致其等效Ae大于中柱截面积（40.1楼答案）；
且随着中柱高度的降低（即扇形断面比例的增加）会导致等效Ae的增加（40.2楼答案）；
等效Ae会增加到何种程度？可以在绕组结构相当的情况下，由中柱全高应用（“III”形）求得的AL值与中柱半高应用（“出”形）求得的AL值（电磁学等效）这两点为直线插值（可由AL反算到Ae）近似求得（40.3楼答案）。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 自己double check, 前面的应该不能这样算，再算。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 听闻有粉丝说深不见底，于是版主心有不服，于是非要出题考试，验一验，题又是开放的题  |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 非常浅显的问题，大致相当于入职面试（还没达到笔试）题的水平，但有人还是答错，不知是什么水平？
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 所谓深不可测实为深浅不可测，也包含太浅也不可测的意思。一旦最基本的概念搞错，即使再会翻书，再精于计算都还是错的。
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| | | | | 又想到一个问题，是不是意味着
想用变压器PQ2617的Ae计算一个电感，Ae正合适，但匝数很少，假设为1T
需要开很大的气隙，窗口面积浪费很大
这样就可以，使用磁芯三端都磨短的方法，得到想要的电感量？这样气隙边缘损耗减小？
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| | | | | | | | | 如果这样是对的，那可以解决好多电感因为开气隙发热的问题了
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| | | | | | | | | | | 没那么简单。如果总是线包太小，气隙太大，那说明是设计不合理。
很多时候磨短只是不得已的妥协
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| | | | | | | 我不认同你说的“磨短三边柱可以得到想要的电感量”和“磨短三边柱之后可以降低磁芯损耗”这一说法，为什么呢？ 因为事实上同时磨短了三边柱对于大部分的变压器来说并不一定能得到想要电感量，这只是相当于减短了磁芯的Le而已，像EE，EI,PQ，RM...类型的磁芯要想得到合适的气隙还得磨磁芯的中柱或者是在磁芯的两边柱垫上合适的气隙才能调整得到你所想要的电感量。
另外“ 磨短三边柱之后可以降低磁芯边缘损耗”，真的能降低边缘损耗吗？？？
我觉得这个是不能的，反而是增加了磁芯的涡流损耗才对。磁芯的三边柱在研磨过之后的表面并没有原来的平面磁芯那么光滑、平整，那么两个研磨过的磁芯的三边柱对接的气隙是不是要比原来没研磨之前的还要大些呢？
如果是研磨过磁芯的空气隙要比原来不研磨的两个磁芯对接的气隙还要大，那么空气隙大了不相当于等于增加了磁芯的涡流损耗吗？？？
这是我的个人理解，如有不当之处请各位大神不吝赐教。  |
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| | | | | | | | | 比如之前EE55开中柱10mm，现在三边同时磨短，没有气隙，我认为涡流损耗减小，总体损耗会减小
不过关键是这样做不影响Ae,也就是一楼的问题
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| | | | | | | | | | | 但是你1楼那里并没有注明PQ3220的磁芯中柱是已经是磨过的。如果说你用PQ3220的磁芯装配到PQ3220的骨架上刚好匹配的话，为什么要磨了中柱之后然后后头再把两边柱磨平到跟中间柱一致呢？？这样的目的又是为了什么呢？
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