关于环路电感的问题-综合电源技术-世纪电源网社区

a422877308

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LV8

副总工程师

请教各路大神，有人知道英飞凌的IGBT中的杂散电感Lsce对应的频率是多少么？要算他们的一个模块的杂散电感值，而不同频率下的杂散电感值不一样。

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		2 wangdongchun wangdongchun 离线 LV12 专家积分：41170 \| 主题：751 \| 帖子：6834 访问空间发消息积分:41170 LV12 专家 2019-12-2 21:41:53
		楼主所提的杂散电感值是个变量你如何计算建议楼主还是选择典型值计算出较为具有代表性的数值作为后续使用的依据回复 \| 举报 \|

			3 a422877308 a422877308 离线 LV8 副总工程师积分：3490 \| 主题：19 \| 帖子：533 访问空间发消息积分:3490 LV8 副总工程师 2019-12-3 10:29:11
			看来你不是很了解，由于频率的变化，趋肤效应，涡流感应等等都在变化，所以ACL值也在变化，想要了解具体情况可以去看看相关寄生参数提取的文章。这里主要是问英飞凌这个规格书上的值的对应频率。回复 \| 举报 \|

		4 greendot greendot 离线 LV12 专家积分：31625 \| 主题：0 \| 帖子：8701 访问空间发消息积分:31625 LV12 专家 2019-12-3 13:59:58
		估计一般应用下，LSce可以认为是不变的。回复 \| 举报 \|

			5 a422877308 a422877308 离线 LV8 副总工程师积分：3490 \| 主题：19 \| 帖子：533 访问空间发消息积分:3490 LV8 副总工程师 2019-12-4 10:45:10
			实际中的杂散电感，在几百KHz以下是变化最大的，这个范围刚好是IGBT工作主频率和能量最高的几个谐波频率所在的范围。回复 \| 举报 \|

				6 greendot greendot 离线 LV12 专家积分：31625 \| 主题：0 \| 帖子：8701 访问空间发消息积分:31625 LV12 专家 2019-12-4 16:54:33
				Datasheet 的数据好像也是用v=L*di/dt方法来测定的，那么一般应用中电流的Rise、Fall Time 是多大呢？100ns 的话，对应BW是35MHz ? 回复 \| 举报 \|

					7 a422877308 a422877308 离线 LV8 副总工程师积分：3490 \| 主题：19 \| 帖子：533 访问空间发消息积分:3490 LV8 副总工程师 2019-12-4 18:38:21
					估计应该是DC电感，测试是对电流线性区域的值进行计算得到的，AC部分的di/dt是非线性的。大功率igbt的开关时间在几时到一百多纳秒之间，对应的频率最多到两三兆。回复 \| 举报 \|

						8 greendot greendot 离线 LV12 专家积分：31625 \| 主题：0 \| 帖子：8701 访问空间发消息积分:31625 LV12 专家 2019-12-5 13:28:08
						用FEM算了一段2cm长，直径1mm的铜线，DC电感4.64nH，频率由50KHz到50MHz，电感由9.21nH 降到 8.31nH，变化不算太大（skin depth 基本影响不大）。回复 \| 举报 \|

							9 a422877308 a422877308 离线 LV8 副总工程师积分：3490 \| 主题：19 \| 帖子：533 访问空间发消息积分:3490 LV8 副总工程师 2019-12-5 18:59:31 倒数10
							看来你对分布电感的了解很有限，你算的那个是单独导体的自感，实际模型中由于周边导体的影响，模型的电感矩阵是变化很大的，英飞凌的igbt技术领先的原因，其中一部分就是因为他们可以把模块中的环路电感做到一致性很好，高速信号中的讲究更多。回复 \| 举报 \|

								10 greendot greendot 离线 LV12 专家积分：31625 \| 主题：0 \| 帖子：8701 访问空间发消息积分:31625 LV12 专家 2019-12-6 11:11:01 倒数9
								不止有限，简直是零。不过也仿过导体附近有其他导体的情况，skin,proximity,eddy current等齐备，电感随频率改变比较显著，但到某频率后变化缓慢，这只是个人的练习。回复 \| 举报 \|

									11 luck2013 luck2013 离线 LV8 副总工程师积分：3381 \| 主题：167 \| 帖子：583 访问空间发消息积分:3381 LV8 副总工程师 2019-12-6 11:14:46 倒数8
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									12 a422877308 a422877308 离线 LV8 副总工程师积分：3490 \| 主题：19 \| 帖子：533 访问空间发消息积分:3490 LV8 副总工程师 2019-12-6 14:40:57 倒数7
									是的，多导体电感矩阵，自感感值随频率的增加，开始变化很大，到后面变化就小了，如果把频率坐标换成对数，通常高于1MHz左右，看上去感值的变化趋于平稳了，后面就以很小的幅值在降低了。回复 \| 举报 \|

										13 greendot greendot 离线 LV12 专家积分：31625 \| 主题：0 \| 帖子：8701 访问空间发消息积分:31625 LV12 专家 2019-12-6 15:47:00 倒数6
										恶补了些 SiC Powe Module 的 Parasitics Extraction 资料，Stray Inductance 主要是Bond Wire，其实也不是太复杂。回复 \| 举报 \|

											14 a422877308 a422877308 离线 LV8 副总工程师积分：3490 \| 主题：19 \| 帖子：533 访问空间发消息积分:3490 LV8 副总工程师 2019-12-9 15:37:04 倒数5
											碳化硅不了解，IGBT模块主要杂散电感并不是bondwire，是直流输入端子。多根bondwire并联的自感一般在零点几nH或者一两nH，大功率模块是由多组bondwire组成的，并联电感更小，而输入端子的自感比它大一个数量级。回复 \| 举报 \|

greendot

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LV12

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前面提到的 bond wire 是包括 die 以外所有的接线的。

a422877308

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LV8

副总工程师

按照功率半导体的传统封装工艺，模块导体部分分为bondwire、dbc覆铜和功率端子，生产也是按照三部分进行加工的。我指的bondwire就是半导体和dbc或者半导体之间的键合线部分。

greendot

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LV12

专家

那资料的意思可能有点笼统，把所有lump起来了。

		18 天空依然蓝yy 天空依然蓝yy 离线 LV8 副总工程师积分：6199 \| 主题：77 \| 帖子：414 访问空间发消息积分:6199 LV8 副总工程师最新回复 2019-12-13 13:51:11 倒数1
		这个IGBT的杂散电感量，应该是根据开关管动作时发出的能够量造成的，可以咨询厂家或者使用脉冲试验进行测量回复 \| 举报 \|