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| | | | | | | SIC碳化硅MOS高耐压,低导通电阻,高工作频率,耐高温,抗辐射等优良性能(TO-247-4可以进一步降低器件损耗,提升系统 EMI 表现)。 ASC30N650MT4.pdf (1.23 MB, 下载次数: 0) ASC60N650MT4 -PDF.pdf (784.38 KB, 下载次数: 0) ASC30N1200MT4 -PDF.pdf (655.17 KB, 下载次数: 0) ASC60N1200MT4 -PDF.pdf (664.75 KB, 下载次数: 0) ASC100N1200MT4 -PDF.pdf (1 MB, 下载次数: 0) ASC5N1700MT3.pdf (1.1 MB, 下载次数: 0) ASC100N1700MT4-PDF.pdf (1 MB, 下载次数: 0) ASR50N650MD88 -PDF.pdf (668.12 KB, 下载次数: 0) ASR50N1200MD88 -PDF.pdf (638.33 KB, 下载次数: 0) ASC20N3300MT4-PDF.pdf (580.92 KB, 下载次数: 0) 发来贺电!
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| | | | | | | 大哥,有没有can通讯电路以及前后级通讯电路的原理图啊
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| | | | | 首先感谢楼主的分享,
仔细观看了电路图,电路还是比较齐全的。 有个地方不解
AC3相380V输入中 V U W 的电压采样, 经分压串电阻对地 的地(GNDP)
问题1: 没有分压回路,
问题2: 图纸中的分压地(GNDP) 属于 独立DSP 核心控制的地。 电路中采样信号没有经过隔离。 但AC 三相电流采样有隔离。
这个地GNDP只是隔离辅助电源部分产生的地, 是不是错了。
还有
这LLC输出+400V -400V 的输出地是GNDM , 如上图输出400V的电压采样的地又是(GNDP),不是同一个地, 电位能建立吗?
楼主删了原理图
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| | | | | 兄弟好像没见功率变换单元电路哦,能发份完整的原理图学习吗,谢谢, |
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