世纪电源网社区logo
社区
Datasheet
标题
返回顶部
未解决

电路问题分析求助

[复制链接]
查看: 5416 |回复: 53
1
尚飨
  • 尚飨
  • 离线
  • LV8
  • 副总工程师
  • 积分:7644
  • |
  • 主题:71
  • |
  • 帖子:561
积分:7644
LV8
副总工程师
  • 2020-12-31 14:40:48
10问答币
      如上图,由单片机控制,对全桥整流后的大电容进行放电。当输入的交流电压变小后,让大电容充的电迅速放掉。现在的问题是,去掉那个1N4007W后,整个电路工作非常符合预期要求。加上那个1N4007后,交流电压达到AC220V左右,1N4007通常会炸飞,连带MOS击穿。

      请各位大佬分析下,原因在哪里?器件质量是没有问题的。MOS为600V/7.3A的功率MOS。程序也没有跑飞。

捕获.PNG (21.08 KB, 下载次数: 280)

放电电路

放电电路
收藏收藏1
浩工
  • 浩工
  • 离线
  • LV6
  • 高级工程师
  • 积分:1251
  • |
  • 主题:94
  • |
  • 帖子:310
积分:1251
LV6
高级工程师
  • 2020-12-31 14:47:14
 
看下DCG有没有针对DC+的电压,最大差压多少,有可能是电流从MOS的体二极管及4007流过导致的
尚飨
  • 尚飨
  • 离线
  • LV8
  • 副总工程师
  • 积分:7644
  • |
  • 主题:71
  • |
  • 帖子:561
积分:7644
LV8
副总工程师
  • 2021-1-3 16:28:26
 
没有,只是普通的整流桥整流后接大电容,没有反向电流。
wh6ic
  • wh6ic
  • 离线
  • LV10
  • 总工程师
  • 积分:10646
  • |
  • 主题:25
  • |
  • 帖子:726
积分:10646
LV10
总工程师
  • 2020-12-31 15:08:38
 
搞不明白加这粒二极管 干什么?
   会不会是 二极管封装画反,MOS 导通时 短路?
nc965
  • 积分:93873
  • |
  • 主题:115
  • |
  • 帖子:27412
积分:93873
版主
  • 2020-12-31 16:30:50
 
既然不加4007非常符合预期要求,那就不加
wangdongchun
  • 积分:41166
  • |
  • 主题:751
  • |
  • 帖子:6834
积分:41166
LV12
专家
  • 2020-12-31 21:36:58
 
该二极管属于画蛇添足设计  如果是感性负载其做为续流二极管还有情可原  单纯的电阻元件没有必要  直接省略即可
尚飨
  • 尚飨
  • 离线
  • LV8
  • 副总工程师
  • 积分:7644
  • |
  • 主题:71
  • |
  • 帖子:561
积分:7644
LV8
副总工程师
  • 2021-1-3 16:26:10
 
我选的是绕线电阻,绕线电阻皮实,缺点就是电感大。
现在只是技术层面上讨论下,二极管挂掉的原因。

封装没反,炸二极管的时候交流升压,MOS并没有开启。
ZWC317441532
  • 积分:14436
  • |
  • 主题:54
  • |
  • 帖子:1254
积分:14436
LV10
总工程师
  • 2021-1-3 16:56:23
 
可以再在MOS管D极到地加一个大一点的电阻试试, 二极管反向电压虽然高,正向电压只有0.5-0.7V就会导通.
YTDFWANGWEI
  • 积分:109912
  • |
  • 主题:142
  • |
  • 帖子:45931
积分:109912
版主
  • 2021-3-19 16:53:24
 
是交流升压还是直接上交流?
andyhua
  • 积分:73
  • |
  • 主题:1
  • |
  • 帖子:11
积分:73
LV1
本网技工
  • 2021-3-19 16:38:49
 
家这个二极管在这没什么作用,做反向电流吸收也不是这加的。这样加二极管肯定热炸1N4007是慢管,用也要用快管。
boy59
  • boy59
  • 离线
  • LV10
  • 总工程师
  • 积分:16430
  • |
  • 主题:118
  • |
  • 帖子:2779
积分:16430
LV10
总工程师
  • 2021-1-3 21:12:32
 
可能原因:当交流电压逐渐增大时绕线电阻中的电感在蓄能,当交流电压逐渐减小时(过顶点220V)电感通过二极管1n4007释放能量。
此时巧好MOS管进行导通放电由于1N4007是慢恢复二极管所以会产生一个短时间的直通并导致炸管。
lightning_bug
  • 积分:331
  • |
  • 主题:0
  • |
  • 帖子:15
积分:331
LV4
初级工程师
  • 2021-1-3 22:52:15
 
加二极管干啥?稳压应该用稳压二极管吧?好像这个二极管没啥用,如果要它的话是不是应该并个电容啊?
boy59
  • boy59
  • 离线
  • LV10
  • 总工程师
  • 积分:16430
  • |
  • 主题:118
  • |
  • 帖子:2779
积分:16430
LV10
总工程师
  • 2021-1-4 08:59:16
 
加二极管是想降低关断时MOS管上的压降吧,类似继电器的应用,在恒压供电及慢开关速度下是可行的。
Coming.Lu
  • 积分:50193
  • |
  • 主题:39
  • |
  • 帖子:15999
积分:50193
版主
  • 2021-1-4 08:11:36
 
去掉1N4007。
另外,470R/3W 功率小了点吧。
尚飨
  • 尚飨
  • 离线
  • LV8
  • 副总工程师
  • 积分:7644
  • |
  • 主题:71
  • |
  • 帖子:561
积分:7644
LV8
副总工程师
  • 2021-1-4 13:58:40
 
功率不小,应用需求是等 整流桥前的交流值变小时,快速放电,让DC输出快速跟随,并非一直用。
现在去掉二极管是没有问题的,只是纠结为什么二极管存在时会炸的原因。
Coming.Lu
  • 积分:50193
  • |
  • 主题:39
  • |
  • 帖子:15999
积分:50193
版主
  • 2021-1-4 18:03:17
 
可以实际测一下电压电流波形,也许可以找到原因。
尚飨
  • 尚飨
  • 离线
  • LV8
  • 副总工程师
  • 积分:7644
  • |
  • 主题:71
  • |
  • 帖子:561
积分:7644
LV8
副总工程师
  • 2021-1-6 15:14:33
 
这个得下批板子回来,5块炸完了,焊盘都飞了。
话说这个理论上没法解释。
Allen_Sh
  • 积分:3497
  • |
  • 主题:301
  • |
  • 帖子:852
积分:3497
LV8
副总工程师
  • 2021-1-5 14:02:30
 
把1N4007拿掉,在MOS的D-S并个稳压二极管
尚飨
  • 尚飨
  • 离线
  • LV8
  • 副总工程师
  • 积分:7644
  • |
  • 主题:71
  • |
  • 帖子:561
积分:7644
LV8
副总工程师
  • 2021-1-6 15:15:21
 
我只要去掉1N4007就可以,加稳压二极管根本不合适。现在求助的是原因,为什么会炸。
天棒
  • 天棒
  • 离线
  • LV3
  • 助理工程师
  • 积分:236
  • |
  • 主题:1
  • |
  • 帖子:4
积分:236
LV3
助理工程师
  • 2021-1-22 21:02:40
 
绕线电阻R34电感大,MOS关断期间电感上的电流会通过二极管D27续流,
此时三极管Q2漏极电位被拉高至DC+,此时开通MOS管将导致DC+和DCG短路,
短路电流大直接炸毁1N4007和MOS
尚飨
  • 尚飨
  • 离线
  • LV8
  • 副总工程师
  • 积分:7644
  • |
  • 主题:71
  • |
  • 帖子:561
积分:7644
LV8
副总工程师
  • 2021-1-23 19:38:05
 
朋友,二极管续流时正偏,此时我即使开启MOS管Q2,二极管也不可能反向导通啊,恢复时间没那么长,能量也没那么高啊
天棒
  • 天棒
  • 离线
  • LV3
  • 助理工程师
  • 积分:236
  • |
  • 主题:1
  • |
  • 帖子:4
积分:236
LV3
助理工程师
  • 2021-1-26 19:18:04
 
二极管只要有电流通过就相当于导线,二极管续流已经让二极管开通,并没有反向导通
尚飨
  • 尚飨
  • 离线
  • LV8
  • 副总工程师
  • 积分:7644
  • |
  • 主题:71
  • |
  • 帖子:561
积分:7644
LV8
副总工程师
  • 2021-1-27 12:28:34
 
这个 说法不合适吧,简单 的 BUCK续流二极管每周期都导通,断续模式下,负载电容并不可能通过续流二极管把电放 掉吧 。
nevou
  • nevou
  • 离线
  • LV6
  • 高级工程师
  • 积分:1097
  • |
  • 主题:15
  • |
  • 帖子:264
积分:1097
LV6
高级工程师
  • 2021-1-27 17:59:27
 
上电的时候  单片机IO是低电平吗
zhouduanbo
  • 积分:127
  • |
  • 主题:0
  • |
  • 帖子:2
积分:127
LV2
本网技师
  • 2021-3-17 19:45:00
 
IN4007去掉,多余的,画蛇添足
smic2011
  • 积分:129
  • |
  • 主题:0
  • |
  • 帖子:3
积分:129
LV2
本网技师
  • 2021-3-19 22:31:18
 
是不是器件耐压不够,击穿了
jonathan_jiang
  • 积分:2173
  • |
  • 主题:0
  • |
  • 帖子:40
积分:2173
LV8
副总工程师
  • 2021-5-12 19:50:58
 
将电阻R34由线绕电阻换成碳膜电阻,这个问题可以解决。在大电流电路中,电感不容忽视,线绕电阻可能不能快速泄放电压造成IN4007炸管。

尚飨
  • 尚飨
  • 离线
  • LV8
  • 副总工程师
  • 积分:7644
  • |
  • 主题:71
  • |
  • 帖子:561
积分:7644
LV8
副总工程师
  • 2021-5-13 08:37:38
 
原因不在这,后面分析后得出,二极管的寄生电容 竟然是小于MOS的体二极管寄生电容的,这个真是没想到
jonathan_jiang
  • 积分:2173
  • |
  • 主题:0
  • |
  • 帖子:40
积分:2173
LV8
副总工程师
  • 2021-5-13 10:13:03
 
楼主,如果是寄生电容的问题,选用碳化硅肖特基二极管,会解决这个问题。或者你直接选用碳化硅MOS,其体二极管的寄生电容极小。
尚飨
  • 尚飨
  • 离线
  • LV8
  • 副总工程师
  • 积分:7644
  • |
  • 主题:71
  • |
  • 帖子:561
积分:7644
LV8
副总工程师
  • 2021-5-13 12:24:10
 
非常感谢,这个MOS比较大,单次击穿 能量很高,我把二极管去掉,直接让MOS扛,就没有问题了
jonathan_jiang
  • 积分:2173
  • |
  • 主题:0
  • |
  • 帖子:40
积分:2173
LV8
副总工程师
  • 2021-5-13 13:39:54
 
妙招!
阿甘
  • 阿甘
  • 离线
  • LV8
  • 副总工程师
  • 积分:3062
  • |
  • 主题:51
  • |
  • 帖子:374
积分:3062
LV8
副总工程师
  • 2022-2-13 00:43:54
 
4007是1kV耐压啊,究竟什么原因导致损坏呢
Marsyu
  • 积分:135
  • |
  • 主题:0
  • |
  • 帖子:1
积分:135
LV2
本网技师
  • 2021-6-2 15:30:48
 
Mosfet 島通時diode 上面應該是220V*1.1414=311V 這Diode 耐壓有問題嗎? 耐壓沒問題那就在diode串電阻限流,看還會不會damage
尚飨
  • 尚飨
  • 离线
  • LV8
  • 副总工程师
  • 积分:7644
  • |
  • 主题:71
  • |
  • 帖子:561
积分:7644
LV8
副总工程师
  • 2021-6-4 09:07:07
 
谢谢,这个帖子已经过去好久了。
最终用的时候,还是把二极管去掉了,MOS自己扛。
耐压足够,这个就是个普通整流二极管,1A的,再说,二极管瞬态单次电流可以达到额定电流的十倍、几十倍,电流不是问题。还是在寄生二极管上的。
sachiewang
  • 积分:2236
  • |
  • 主题:14
  • |
  • 帖子:197
积分:2236
LV8
副总工程师
  • 2021-6-28 11:27:29
 
考虑下是否是因为寄生电容导致的,二极管分压太多导致过压击穿呢。
deijsb
  • 积分:130
  • |
  • 主题:0
  • |
  • 帖子:3
积分:130
LV2
本网技师
  • 2021-6-29 23:03:40
 
感觉不应该加二极管
尚飨
  • 尚飨
  • 离线
  • LV8
  • 副总工程师
  • 积分:7644
  • |
  • 主题:71
  • |
  • 帖子:561
积分:7644
LV8
副总工程师
  • 2021-7-2 11:26:29
 
谢谢,开始想多了,认为绕线电阻 电感大,所以 加了 个放电回路
xi1900
  • xi1900
  • 离线
  • LV4
  • 初级工程师
  • 积分:321
  • |
  • 主题:0
  • |
  • 帖子:13
积分:321
LV4
初级工程师
  • 2022-3-16 22:48:36
 
是二极管的反向恢复造成的,刚开始没有放电的时候Q2的漏极是DC+点位,二极管两端的电压是0V,并没有开始反偏,开关管导通的瞬间,二极管翻篇,有很大的恢复电流。你可以试一试,把驱动电阻放大一点,让Q2开的慢一些,或者把二极管换成一个高压的超快恢复二极管,再试一试。换成超快恢复的二极管应该就不会炸机了。等你测试的结果哦!
尚飨
  • 尚飨
  • 离线
  • LV8
  • 副总工程师
  • 积分:7644
  • |
  • 主题:71
  • |
  • 帖子:561
积分:7644
LV8
副总工程师
  • 2022-3-17 09:00:08
 
二极管没有正向电流时,会有反相恢复电流吗?这个应该不会。
xi1900
  • xi1900
  • 离线
  • LV4
  • 初级工程师
  • 积分:321
  • |
  • 主题:0
  • |
  • 帖子:13
积分:321
LV4
初级工程师
  • 2022-3-19 15:55:13
 
二极管的反向恢复实际上是由电荷存储效应引起的,二极管虽然没有正偏,但是里面PN结的掺杂浓度会产生一定的电荷偏移。突然加反向电压,也会有反向电流。
banana10000
  • 积分:117
  • |
  • 主题:0
  • |
  • 帖子:3
积分:117
LV2
本网技师
  • 2022-4-11 16:44:48
 
冥冥中,感觉是交流不是直流电
尚飨
  • 尚飨
  • 离线
  • LV8
  • 副总工程师
  • 积分:7644
  • |
  • 主题:71
  • |
  • 帖子:561
积分:7644
LV8
副总工程师
  • 2022-4-11 18:32:42
 
那个DC+是全桥整流后经过4*470uf/450V的电容滤波的结果。
wxjy990
  • 积分:113
  • |
  • 主题:0
  • |
  • 帖子:3
积分:113
LV2
本网技师
  • 2022-8-21 20:57:38
 
当交流电压逐渐增大时绕线电阻中的电感在蓄能,当交流电压逐渐减小时(过顶点220V)电感通过二极管1n4007释放能量。
此时巧好MOS管进行导通放电由于1N4007是慢恢复二极管所以会产生一个短时间的直通并导致炸管。
林伟伟
  • 积分:320
  • |
  • 主题:0
  • |
  • 帖子:5
积分:320
LV4
初级工程师
  • 2022-10-26 20:52:02
 
可以仿真一下,pspice仿真会模拟实际电路
xi1900
  • xi1900
  • 离线
  • LV4
  • 初级工程师
  • 积分:321
  • |
  • 主题:0
  • |
  • 帖子:13
积分:321
LV4
初级工程师
  • 2023-5-22 17:10:28
  • 倒数10
 
可以把电路探头串联到二极管两端,看看是否有浪涌电流
elenwq
  • elenwq
  • 离线
  • LV3
  • 助理工程师
  • 积分:207
  • |
  • 主题:2
  • |
  • 帖子:4
积分:207
LV3
助理工程师
  • 2023-8-10 16:03:52
  • 倒数9
 
去掉1n4007,或者在二极管上串联个电阻试试呢?
hwx-555
  • 积分:21245
  • |
  • 主题:55
  • |
  • 帖子:5815
积分:21245
LV10
总工程师
  • 2023-8-10 17:03:05
  • 倒数8
 
改用无感绕线电阻,不并二极管
gaojiahui
  • 积分:369
  • |
  • 主题:0
  • |
  • 帖子:3
积分:369
LV4
初级工程师
  • 2023-10-31 12:08:11
  • 倒数7
 
电阻是不是寄生电感太大,导致二极管过压损坏
依然逍遥
  • 积分:229
  • |
  • 主题:1
  • |
  • 帖子:13
积分:229
LV3
助理工程师
  • 2023-11-2 02:37:46
  • 倒数6
 
线绕电阻是寄生电感大,不加4007影响较大,加了4007之后要小,而楼主情况刚刚相反,是加了4007才出故障。所以寄生电感影响电路说法不太合理。
普通的1n4007结电容是比较大的,mos导通瞬间,4007结电容造成大电流损坏mos管(因为楼主的电容太大)可能性,看大家回复的情况,应该是比较可能的。
实际通过简单测试就很容易知道是不是这样的了。
1,如无示波器,在dc+再多串联一个几十欧姆1w或者2w的普通电阻,串联在r34和d27
的上面,看情况有无改善。
2,1n4007跟换成uf4007或者其他超快恢复二极管。
3,如果有示波器,r34d27上面串联小阻值电阻,用示波器观察mos开通瞬间有无尖峰。
sulang108
  • 积分:614
  • |
  • 主题:4
  • |
  • 帖子:34
积分:614
LV6
高级工程师
  • 2023-11-2 08:59:01
  • 倒数5
 
电路形式没有什么大问题,1N4007的电流能力太小了,换成5A或者以上的二极管应该就可以了
billgui
  • 积分:371
  • |
  • 主题:0
  • |
  • 帖子:5
积分:371
LV4
初级工程师
  • 2024-2-16 18:20:35
  • 倒数4
 
你好,放电电路二极管1N4007的问题解决了吗?有做过哪些验证措施?
尚飨
  • 尚飨
  • 离线
  • LV8
  • 副总工程师
  • 积分:7644
  • |
  • 主题:71
  • |
  • 帖子:561
积分:7644
LV8
副总工程师
  • 2024-2-20 10:45:25
  • 倒数3
 
当然解决了,直接去掉多余那个1N4007,MOS管有单次击穿能量参数可以抗住,那个电阻改成金属膜电阻,不再是绕线电阻。验证方式很简单,原先的是个板子就炸二极管、击穿MOS,如上改了,10多块板子用一年了,没出问题。
world阡陌
  • 积分:110
  • |
  • 主题:0
  • |
  • 帖子:2
积分:110
LV2
本网技师
  • 2024-4-17 14:08:15
  • 倒数2
 
没有感性负载不需要加二极管
lee1235
  • 积分:107
  • |
  • 主题:0
  • |
  • 帖子:1
积分:107
LV2
本网技师
最新回复
  • 2024-4-18 10:18:04
  • 倒数1
 
该二极管属于画蛇添足设计  如果是感性负载其做为续流二极管还有情可原  单纯的电阻元件没有必要  直接省略即可
热门技术、经典电源设计资源推荐

世纪电源网总部

地 址:天津市南开区黄河道大通大厦8层

电 话:400-022-5587

传 真:(022)27690960

邮 编:300110

E-mail:21dy#21dianyuan.com(#换成@)

世纪电源网分部

广 东:(0755)82437996 /(138 2356 2357)

北 京:(010)69525295 /(15901552591)

上 海:(021)24200688 /(13585599008)

香 港:HK(852)92121212

China(86)15220029145

网站简介 | 网站帮助 | 意见反馈 | 联系我们 | 广告服务 | 法律声明 | 友情链接 | 清除Cookie | 小黑屋 | 不良信息举报 | 网站举报

Copyright 2008-2024 21dianyuan.com All Rights Reserved    备案许可证号为:津ICP备10002348号-2   津公网安备 12010402000296号