关于SiC MOS驱动电压的负压设置

像Cree家的SiC 模组，CCS050M12CM2，驱动电压工作范围为+25V/-10V,但是它推荐的工作电压20V/-5V，我现在也是将驱动电压设置在这个推荐电压（因为器件压降负压实际为-4V作用），但是有个问题，死区时间上下管驱动电压交叉点为正1V，觉得有直通风险，所以想通过调低负压至-7V而减小上下管交叉电压(当然会保证负过冲电压小于10V，即负压过冲电压高于-10V),这样做有什么风险嘛？很多文章推荐说负压最好小于等于5V（即>=-5V）,但是又没说出原因呢，想问问大家的意见……
CH1：上管Vgs，CH2:下管Vgs，
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