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未解决

3843驱动波形 米勒平台有较大凹陷

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韩易0315
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高级工程师
  • 2022-6-16 21:26:13
10问答币
普通的反激 采用3843直接驱动 功率将近200w mos用的是800v 10A的 10n80   整流二极管用的是1660ct 600V的超快恢复二极管。 工作于连续模式下发热较为严重,发现驱动波形在一半处有一个塌陷,但VDS波形很正常,绿色是驱动波形 黄色是次级二极管波形  两个波形存在重叠, 不知道是上面原因。 希望大家能给点建议。
2.jpg
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沧海一粒
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高级工程师
  • 2022-6-17 03:18:14
 
会不会是采样电阻压降大的缘故?
韩易0315
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LV6
高级工程师
  • 2022-6-17 07:35:37
 
采样电阻为0.27
能源消耗
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总工程师
  • 2022-6-17 09:34:12
 
你做(200W)反激, 换新一代芯片,38**虽然金典,  还是功能不足, 比如缺少采样前沿消隐, (这个很重要,关系到电流采样精确),

驱动波形塌陷与Rg 电阻也有关系,Crss的大小受最大峰值电流的作用产生的。初级峰值电流越大越厉害。

从驱动波形看,一点关闭尖峰都没有,这不是好事情。 留一点尖峰是必要的。,Rg 电阻太大了。MOS管Giss 电容估计不小。明显驱动电流保持不足。塌陷控制在8V幅度,就可以了。
韩易0315
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高级工程师
  • 2022-6-17 11:42:05
 
ciss规格书上1800p 原来驱动电阻51欧,现在换成了22Ω 还是有震荡
能源消耗
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LV10
总工程师
  • 2022-6-17 12:33:05
 
全部参数给看看
韩易0315
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LV6
高级工程师
  • 2022-6-19 14:48:34
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这个就是参数

ON-MURF1660CT.pdf

59.73 KB, 下载次数: 0, 下载积分: 财富 -2

整流二极管

Truesemi-TSF10N80M.pdf

349.53 KB, 下载次数: 0, 下载积分: 财富 -2

mos

能源消耗
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LV10
总工程师
  • 2022-6-20 08:01:36
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1660整流管应该可以的。

韩易0315
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高级工程师
  • 2022-6-19 14:50:21
  • 倒数6
 
现在是大电流输出时进入连续模式
谢开源
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副总工程师
  • 2022-6-17 14:53:24
 
老IC+老Mos,驱动能力是不够的,估计增加Rg会减小震荡但开关损坏会大
改为Ciss 较小的cool Mos or GaN 试试
韩易0315
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高级工程师
  • 2022-6-19 14:49:34
  • 倒数7
 
好的  现在看vds波形没有异常,就是感觉二极管恢复时间好像太长
能源消耗
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总工程师
  • 2022-6-20 07:59:03
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有可能
joezzhang
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LV8
副总工程师
  • 2022-6-17 16:48:13
  • 倒数10
 
目测是二次侧二极管反向恢复造成的,换碳化硅二极管试试
确定问题之后再想办法,看不用碳化硅能不能绕过去。不过我估计有困难
韩易0315
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高级工程师
  • 2022-6-19 14:42:53
  • 倒数9
 
输出功率越大 塌陷的越严重 最后都有一个尖峰成负的了 但奇怪的是vds波形没有异常,这个二极管的是安森美的 规格书说恢复时间60ns 1660ct
ldj009
  • ldj009
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高级工程师
  • 2022-6-19 15:26:09
  • 倒数5
 
驱动加推挽看看~
沧海一粒
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高级工程师
  • 2022-6-19 16:58:29
  • 倒数4
 
DCM模式,二极管就没有反向恢复问题了
韩易0315
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高级工程师
最新回复
  • 2022-6-20 11:06:54
  • 倒数1
 
今天又试了,发现一个现象,输入电压越低,驱动波形越好,几十伏输入的情况下,那个震荡就很小了
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