SiC MOSFET栅极驱动以及栅极驱动器-新能源车充电与驱动技术-世纪电源网社区

stevenqian

stevenqian
离线
LV8
副总工程师

积分：6752
|
主题：42
|
帖子：464

积分:6752

LV8

副总工程师

2022-6-20 09:35:41

SiC MOSFET栅极驱动以及栅极驱动器

SiC MOSFET栅极驱动以及栅极驱动器.pdf (2.41 MB, 下载次数: 61)
碳化硅（SiC）MOSFET 的使用促使了多个应用的高效率电力输送，比如电动车
快速充电、电源、可再生能源以及电网基础设施。虽然它们的表现比传统的硅（Si）
MOSFET 和 IGBT 更为出色，但驱动方式却不尽相同，必须要在设计过程中进
行缜密的思考。以下是一些 SiC 栅极驱动器的一些示例要求：
1：驱动供电电压包含开通的正压和关断的负压
2:共模瞬态抗扰度（CMTI）大于 100kV/µs
3：最大工作绝缘电压可达 1700V
4：驱动能力可达 10A
5：传输延迟时间和频道不匹配时间小于 10ns
6：主动米勒钳位
7：快速短路保护（SCP）（小于 1.8µs）

收藏1

		2 stevenqian stevenqian 离线 LV8 副总工程师积分：6752 \| 主题：42 \| 帖子：464 访问空间发消息积分:6752 LV8 副总工程师 2023-12-16 11:59:41 倒数3
		碳化硅MOS（SiC MOSFET）特性碳化硅MOS（SiC MOSFET）特性.pdf (3.32 MB, 下载次数: 6) 2023-12-16 11:59 上传点击文件名下载附件下载积分: 财富 -2 回复 \| 举报 \|

			3 stevenqian stevenqian 离线 LV8 副总工程师积分：6752 \| 主题：42 \| 帖子：464 访问空间发消息积分:6752 LV8 副总工程师 2024-2-21 15:11:11 倒数2
			碳化硅MOS具有宽带隙、高击穿电场强度、高电流密度、快速开关速度、低导通电阻和抗辐射性能等独特特点回复 \| 举报 \|

				4 stevenqian stevenqian 离线 LV8 副总工程师积分：6752 \| 主题：42 \| 帖子：464 访问空间发消息积分:6752 LV8 副总工程师最新回复 2024-3-15 17:01:13 倒数1
				SiC MOSFET和IGBT栅极驱动器电路的基本原理 MOSFET和IGBT栅极驱动器电路的基本原理.pdf (1.67 MB, 下载次数: 5) 2024-3-15 17:00 上传点击文件名下载附件下载积分: 财富 -2 回复 \| 举报 \|

世纪电源网总部

地址：天津市南开区黄河道大通大厦8层

电话：400-022-5587

传真：(022)27690960

邮编：300110

E-mail：21dy#21dianyuan.com(#换成@)

世纪电源网分部

广东：(0755)82437996 /(138 2356 2357)

北京：(010)69525295 /(15901552591)

上海：(021)24200688 /(13585599008)

香港：HK(852)92121212

China(86)15220029145