 |  | | | | Qg=Ciss*Vgs
Ciss=Cgs+Cds
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|  | | | | | | 能否这样认为：某个驱动芯片输出驱动15V，内部等效输出电阻2R，驱动电阻15R，那么可以提供最大的峰值驱动电流为I=15/（2+15）=0.88A，假设某个管子的Gg=60nC，那么按照Qg=I*t，得到驱动上升时间t=Qg/I=60nC/0.88A=68ns,，而对于管子Vds电压则是从400V跌到0，dv/dt=400V/68ns=5.88V/ns，远小于手册里面的数据dv/dt=50V/ns。从dv/dt角度来看，可以认为管子是安全的。
以上这样理解是否正确？
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| | |  | | | | | | 1)个人觉得估算dv/dt用Qgd好些，t=Qgd/Ig, and dv/dt=Vds/t
2)或实测米勒平台对应的vds的dv/dt
3)实际所需dv/dt要满足效率和不引起过大的寄生振荡，还要兼顾EMI
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| | | | | Qg是MOS管的品质因素，影响开关损耗，进而影响效率；Qg>(Qgs+Qgd ) 一般来说，相同的Qg，Qgd占比越大，开关损耗越大。占比均衡。Qg越大，效率越低；
看Mos管损耗的效率，一般看Qg和Rdson即可。
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| | | | | Qg——Total Gate Charge 总栅电荷. Qg: 反映了驱动的电流需求.如果象仙童公司的就比较大,这种情况下驱动他就要较大电流的芯片.要不就要采用例如PUSH-PULL 结构来达到快速开通的目的,IRFB4110 Qg 150
Hunteck037N10 Qg 118
Hunteck 驱动更容易。
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| | | | | | | 这个和工艺也有关系，通常一个工艺Qg*RDS(ON)是一个常数，RDS（on）越小，Qg越大，需要的驱动能力越强，Qg和输入电容有关，输入电容越大，Qg越大，
输入电容包括Ciss=Cgs+Cgd, 通常Cgd越大，Miller区时间越长，开起关断时损耗越大；
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| | | | | Qg主要影响开关速度和开关损耗。定性来讲，Qg越大，栅极驱动IC的驱动电流能力一定时，所需的时间就越大，因此，栅极充放电时间越长，硬开关切换的时间越长，开关损耗越大。
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| | | | | Qg会影响到MOSFET的开关速度，也就是会影响到开关损耗和效率 |
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