Boost电路，MOS的压降问题-综合电源技术-世纪电源网社区

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2022-10-20 04:51:01

10问答币

刚入门新手，MOS是IRF640， RDS是0.15Ω， MOS的导通电阻用直流电压加在VGS测过，3A的电流降0.41V，压降没有问题，但是MOS接50kHZ的50%占空比驱动信号，电源在导通的时候压降明显变高，在1.2V左右

输入是10V直流，负载是20Ω

原理图和VDS波形

理论上压降是RDS乘上DS电流，压降应该是0.15Ω*2A = 0.3V
驱动芯片是UC27517，瞬时驱动电流有4A，平均驱动电流0.3A，肯定是满足驱动MOS饱和的要求
驱动芯片供电是15V，不存在VGS电压不够的情况
很奇怪啊

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YTDFWANGWEI

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实际测量的？探头与示波器不匹配吧

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zhuliu09

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2022-10-20 11:03:56
倒数4

寄生电感上的感应电压影响，你考虑了没？

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YTDFWANGWEI

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2022-10-20 15:45:49
倒数3

实际测量的？探头与示波器不匹配吧

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wangdongchun

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2022-10-20 22:04:39
倒数2

就两个原因：一个是测量方法的问题，另一个或许就是干扰的因素

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		5 analogman1 analogman1 离线 LV2 本网技师积分：123 \| 主题：0 \| 帖子：1 访问空间发消息积分:123 LV2 本网技师最新回复 2022-10-20 22:43:38 倒数1
		解决了，是探头的问题回复 \| 举报 \|

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