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 |  | | | | 一般而言，驱动电流与驱动电阻（包括驱动器的内阻）有关，与开关频率无关。而开通时的上升时间可根据Qg参数进行计算会更准确一些。越短的tr对应越小的开关损耗，弊端则是器件电压应力会增大，干扰会增强。 评分查看全部评分
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| | | | | 认为楼主降频的方法可取，或者按楼上坛友的意见加入图腾柱电路试试
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|  | xkw1cn- 积分：131466
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- 主题：37517
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- 帖子：55636
积分:131466 版主 | | | 这啥理由；参数都看错了。那个电容是VGS＝0V时的值，与开关过程的米勒区有毛线关系 
由于PN结非线性，真正反应开关速度的是Qgd，典型值是21nQ。
考虑到Vth，1.5A输出能力的驱动，实际最大米勒输出为1A（Turn-ON)和0.5A（Turn-OFF）。
因此；开通过程时间约21nS和关断时间约40nS。
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|  | | | | | | Ciss虽然随着Vds电压变化而变化，但是这个管子IRFI4227的Ciss变化并不大，即使在150V时候依然保持一个很大值。如果用Qg，手册里面值为73nC。
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| | | | xkw1cn- 积分：131466
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- 主题：37517
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- 帖子：55636
积分:131466 版主 | | | | | Qgs作用开通延时。Qgd作用开通时间。
Qg是一团混帐。
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| | | | | 看那些没啥用。调驱动电阻就可以了。ＭＯＳ 管开通 ＶＤＳ 有个ＤＶ/ＤＴ。不要超过这个值就不会炸机， 由于有电感在，ＭＯＳ管就算不是一下子达到15Ｖ的驱动电压，也不会挂 ，先调机。
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| | | | | | | 请问这个管子的dv/dt参数，是针对开通的时候，还是关断的时候？
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| | | | | 按照这个管子tr=19ns，输入电容Ciss=4600pF，光是这部分的驱动电流就要I1=c*dv/dt=3.6A你是怎么算的？
驱动能力1.5A，可以驱动随便单管MOS，有人说外加图腾柱， 用TO-92的类型三极管1A驱动电流都不足，管子才几百毫安。用TO-220三极管,最大也就3A.。因此，外加图腾驱动不一定是增加驱动能力的需要，有隔离，或电流放大的地方需要。
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