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200A恒流 功率2KW什么拓扑合适

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budaoweng6789
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副总工程师
  • 2022-12-22 15:37:47
10问答币
200A恒流 功率2KW什么拓扑合适   如题,输入220V,功率2000W,最大电流200A。最高电压10V
由于之前没有做过类似产品,不知道选什么拓扑,尤其是副边不知道是用普通二极管并联还是用大电流MOS,


还请各位指点迷津

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20kHz即可。移相全桥价值不大。 同步整流有很多方法,建议看看IR11682S。 同步整流MOSFET,可以看看IPF014N08NF2S;两并。
nc965
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版主
  • 2022-12-22 16:12:40
 
桥式拓扑,半桥全桥均可,副边二者均可,只是效率(散热工)的不同
budaoweng6789
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LV8
副总工程师
  • 2022-12-22 21:52:17
 
副边用二极管有什么常用低压大电流型号?一时还不好找。
大电流MOS倒是一大堆,但是不知道选什么样的同步整流控制器
nc965
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  • 2022-12-23 22:06:58
 
200A,副边、电感、出线都是铜排,最低耐压SMC封装肖特基、密集排列、直接焊上去就行了
budaoweng6789
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  • 2022-12-24 09:11:12
 
行,多谢了

zhenxiang
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LV8
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  • 2022-12-25 16:44:19
 
为什么不用低压MOS做同步整流呢
budaoweng6789
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LV8
副总工程师
  • 2022-12-25 20:57:56
 
我也想试试,只是之前没有接触过同步整流。MOS管倒是好选型,但是整流驱动就不知道用什么芯片合适了,有推荐的吗
zhenxiang
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副总工程师
  • 2022-12-27 09:18:20
 
我觉得那种基于Rds电压方案的控制IC就可以吧
wwdy2014
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高级工程师
  • 2023-1-13 14:27:15
 
请教一下版主,二极管是负温度系数,并联数量太多个体差异比较大会不会应力不均衡
nc965
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  • 2023-1-14 06:15:49
 
铜排不仅汇流,也是散热器,热均衡器,更何况二极管封装也可能不是二极管,而是肖特基,或者集成了同步整流的MOSfet
xkw1cn
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  • 2023-1-14 22:54:36
 
二极管并联;一般需要配对。
xkw1cn
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  • 2022-12-24 20:13:49
 
1)建议PWM 频率最好不要很高2)推荐同步整流  这可以将二次发热减少70%左右,散热会简单不少。
budaoweng6789
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副总工程师
  • 2022-12-25 08:56:59
 
你好。频率具体不要超过多少?目前打算移相全桥。还有就是同步整流控制芯片有没有推荐的?
xkw1cn
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  • 2022-12-25 23:37:42
 
20kHz即可。移相全桥价值不大。
同步整流有很多方法,建议看看IR11682S。
同步整流MOSFET,可以看看IPF014N08NF2S;两并。

ir11682spbf.pdf

376.41 KB, 下载次数: 41, 下载积分: 财富 -2

IPF014N08NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf

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budaoweng6789
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LV8
副总工程师
  • 2022-12-27 08:44:13
 
请问移相全桥价值不大是不合适的意思吗?那用什么拓扑合适?

另外我看了一下11682,驱动电流+1,-4A。能否同时驱动2个以上的MOS?

然后看到它写的是LLC,是否能用在全桥?
xkw1cn
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  • 2022-12-27 21:48:51
 
可以的。
因你的二次电流较大,集肤效应限制下,不适合高频架构。所以;建议较低频率PWM。
由于同步整流是慢开快关控制逻辑,1、4A是够的。
budaoweng6789
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副总工程师
  • 2022-12-28 20:57:27
 
嗯,透彻了很多。还有个问题想请教,就是如果我用移相全桥控制方式但是并不去加入谐振电感,或者是说不去考虑ZVS,这样的话是不是跟普通硬开关就没有多大区别了?
xkw1cn
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  • 2022-12-28 21:08:33
 
是的;差异不大。因一次环流,移相全桥拓扑变压器绕组电流有效值略大。
budaoweng6789
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副总工程师
  • 2022-12-29 10:37:30
 
感谢。在这个功率等级,如果只考虑发热问题,是不是用好一些低阻的MOS比单管IGBT要好一些,还是区别不大?
xkw1cn
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  • 2022-12-29 19:27:54
 
这个功率,可用的高速IGBT只有英飞凌等头部企业有。而MOSFET;国内已经做的不错。
所以;从供货方面,推荐用MOSFET。
budaoweng6789
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副总工程师
  • 2023-1-4 16:23:24
 
多谢,目前我也是打算MOS。还有一个问题,就是关于变压器次级匝数只有1匝,如果说我用多层铜箔,宽度正好与窗口高度相当,这样的话会不会耦合好一些,从而做到次级只有一匝也行?

或者说用磁环的1匝话会不会好很多?没经验别嫌弃
xkw1cn
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  • 2023-1-4 23:28:33
 
整匝设计是不错的想法。可以用你的方法试试。注意工艺结构。
budaoweng6789
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副总工程师
  • 2023-1-5 08:51:55
 
工艺结构自然会注意的。其实我想问的是,想知道次级只有1匝宽铜箔和1匝线有没有很大区别。因为这个对比测试很不方便,所以我想提前取取经
xkw1cn
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  • 2023-1-5 23:35:05
 
线绕效率好些,铜箔漏感比较低。各有特点。
线绕也是多根并联的。
budaoweng6789
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副总工程师
  • 2023-11-20 11:50:10
  • 倒数10
 
你好,前段时间做的这个电源,项目一直搁置到现在。用的移相全桥,次级用的你推荐的11682做的同步驱动,前两天发现 软起过程中或者低占空比时芯片工作不稳定,表现出来就是同步芯片的驱动脉宽不稳定。
变压器会发出短暂的啸叫,整流管两端电压尖峰很高。
我做了一个实验,占空比大于40%时,接通同步芯片的电源,芯片会立刻进入正常工作状态,不会有任何问题。

请问这个是芯片固有问题,还是说通过一些控制策略能避免这个情况?
xkw1cn
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  • 2023-11-20 21:45:09
  • 倒数9
 
看看同步端;有没振铃,测下。
budaoweng6789
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LV8
副总工程师
  • 2023-11-21 10:35:49
  • 倒数8
 
正常状态下同步端有几乎没有振铃,但是在同步芯片刚介入的时(意思是同步驱动波形没有稳定的时候),同步管DS两端尖峰很大,芯片同步端振铃也很大。
感觉这个就是这个因为同步芯片不能适应低占空比所导致的,因为手册只是针对LLC。还是说有其它问题导致?
目前在同步MOS加大RC滤波力度情况会有所缓解,但是芯片介入时还是会有短暂的不稳,我试试把芯片同步端也加一个nF小电容
xkw1cn
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  • 2023-11-21 20:31:34
  • 倒数7
 
没那么复杂;同步端串个电阻即可。
budaoweng6789
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副总工程师
  • 2023-11-22 11:04:00
  • 倒数6
 
参照着英飞凌官方DEMO板图纸。
现在感觉像是干扰到同步芯片的ds引脚电压才会导致这个情况,
但是这个干扰要怎么去除?试了好多种参数比如MOS管加RC吸收,目前已经加到电容47nf,电阻1欧姆。
同步驱动芯片检测脚也加了RC,但效果不理想。。。

英飞凌官方图纸

英飞凌官方图纸

正常时

正常时

不正常时

不正常时
budaoweng6789
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LV8
副总工程师
  • 2023-11-22 21:38:36
  • 倒数5
 
下午又在同步端加了一个分压电阻,分得1/6的Vds电压送到同步端,有非常大的改善,但随着温度上升,还会有误动作。不知道把分压电阻进一步减小,比如分得1/10电压,还能不能正确触发同步信号。
budaoweng6789
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LV8
副总工程师
  • 2023-12-7 14:16:41
  • 倒数3
 
前几天问题已经解决。加强了整流MOS的RC吸收,然后驱动改为11682问题基本解决。剩下的有待时间考验
hunter4051
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副总工程师
  • 2022-12-26 15:19:05
 
同步整流可以参考一下TEA2095T

TEA2095T -CN.pdf (912.33 KB, 下载次数: 20)
budaoweng6789
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副总工程师
  • 2022-12-27 09:13:55
 
因为我没有用过LLC,所以有一个疑问,为什么几乎我看到所有的同步整流控制器都是写的应用在LLC上面?是因为用同步整流会进一步提高效率亦或者是说不同步整流不适用于其它拓扑?
xkw1cn
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  • 2022-12-27 21:40:59
 
11682是两个**同步整流控制,适合两个同步整流拓扑。不限LLC。
内马尔123456
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  • 2022-12-26 15:56:44
 
这个功率等级,选桥式拓扑吧,后级可以同步整流,另外也可以考虑ISOP结构
tmcent
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总工程师
  • 2022-12-26 19:00:29
 
请问多大功率选择桥式拓扑比较合适?
budaoweng6789
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副总工程师
  • 2022-12-27 08:48:39
 
目前打算移相全桥。另外ISOP是不是复杂了一些?
内马尔123456
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  • 2022-12-27 09:23:44
 
也还好吧,硬的ISOP好弄,移相没搞过,你可以自己研究评估一下
huangzy
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本网技师
  • 2022-12-27 15:30:22
 
目前看伟创力的DC-DC产品,1540W的1/4砖产品用的全桥硬开关,可以参考下
budaoweng6789
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副总工程师
  • 2022-12-28 20:54:08
 
多谢,如果有相关文档资料可以贴出来,大家有需要的可以直接下载参考。
zhenxiang
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副总工程师
  • 2023-11-25 18:24:34
  • 倒数4
 
1500W   1/4砖  搞到这么大了
THTTH1982
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  • 2022-12-30 11:42:06
 
交错正激软开关,后面用倍流电路+同步。同步电路单独供电(稳定点)
budaoweng6789
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副总工程师
  • 2022-12-30 14:05:43
 
交错正激方案不错,就是控制复杂一些。倍流是啥意思?
THTTH1982
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  • 2023-3-9 22:13:04
 
百度搜一下倍流整流电路

budaoweng6789
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副总工程师
  • 2023-3-10 10:49:10
 
你好,如果我用全桥,一个变压器加倍流,目前打算用两只MOS管并联,也就是共4只MOS。请问这个MOS选多大合适?散热空间不是很大,怎么做最合适,不考虑成本
budaoweng6789
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副总工程师
  • 2023-3-14 16:10:32
 
交错是相位差180,然后调节脉宽吗?然后是如何实现软开关的?
budaoweng6789
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副总工程师
  • 2023-3-29 11:46:33
 
目前初步打算采用移相全桥,次级同步整流。目前手头项目还没完成,过段时间才能开始这个项目。有啥进展我会分享一下,希望能给初学者提供一些帮助,同时也希望得到各位大佬的指点。
Ryoku
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本网技师
  • 2024-1-24 10:18:39
  • 倒数2
 
不控整流+LLC方案,副边同步整流就行

MOTIVE-高信龙
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高级工程师
最新回复
  • 2024-7-5 11:38:14
  • 倒数1
 
100A的电流,可以使用肖特基做次级侧的异步整流 TOLL封装,直接贴片散热,100A,按照20A一个管子的电流,就是并联5个 PL60L45A 45V 20A-0.28VF (P=20A*0.28*50%=2.8W一颗,按照热阻0.45℃/W来算,TOLL封装的肖特基发热不大,特别适合大电流应用TOLL封装肖特基,专业Ultra Low VF肖特基二极管,特别适合大电流LLC电源应用

MOTIVE 墨濎半导体,专业TMBS肖特基二极管和Trench MOS场效应管 原厂,
国际大厂供应链,为您提供专业技术服务和高可靠性系列化产品



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