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|  |  | | | | | 这么高的频率，优化一下屏蔽接地应该就可以了
1、桥前桥后太近，最好屏蔽：把差模电感改到电容的右边，使左边完整接地
2、散热器，变压器屏蔽层就近（母线电容）接地
3、金属机壳的话，也最好Y接地到母线电容这里，且桥前和副边尽量远离机壳
4、此外，（包括副边在内的）脉冲电流回路、热点分布范围，应该还有优化余地
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| |  | | | | | | | 1.大佬你看下是不是这样改的？还有加屏蔽是指哪里加屏蔽，怎么加呢？ |
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| | | | | | | | | | | | | 哦哦，这样的话，我外包金属铝壳也是接左边吗？ Y1电容呢？
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| | | | | | | | | 还有我这个机，是弄了一个四面全包铝壳散热，外面是塑料外壳，如图。
我想请问这个散热器是做散热器处理就近接大电解地，还是作为金属外壳Y接大电解地呢？
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| | | |  | | | | | | | 建议楼主在变压器下方的PCB板子上，初次级间最好进行打孔处理。再者看原理图没有看到Y电容，而且变压器最好设计到靠近外壳处便于散热，现在的方案距离次级滤波电容很近容易造成电容失效。
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| | | | | | | | | | | 是不是金属机壳，以人体是否能接触判断，人体能接触到的，视为金属机壳，否则视为机内散热器或者屏蔽体
金属机壳，首先是要接PE，还要双Y接桥前近，这样即使PE断开，也不能点亮试电笔，是安规问题
绝缘机壳，视为屏蔽体，Y接MOS地
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| | | | | 加多一路Y电容，原来是初级地-次级地，加多一路初级大电容“+”-次级地加大PWM MOS的驱动，PFC MOS的驱动
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| | | | | | | 那就是大电容正负分别接一路到次级地，还没留意到有这样接的，有啥好处吗，谢谢！
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| | | | | PFC MOS DVDT电容上串bead，需要大电流的bead |
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| | | | | 在PFC MOS D PIN加个Bead core |
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