 |  | | | | 下管并联的二极管理论上压降肯定要小于体二极管，选个超快恢复的或者肖特基的肯定也能快于体二极管，但是二极管的电流有要求吗？是应该大于下管流过的最大电流吗？
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| |  |  | | | | | | TI在官网提供有网站版本的计算工具，但是不提供计算公式。自己想编辑一个可以使用不通厂家MOS自由选型计算，无法较好的预估实际用工况下的Qrr的值得话，损耗计算的就会带来较大误差 |
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| | | | | 输出的电压和电流是多少？反向恢复一般存在于CCM工作模式，如果是DCM或者临界模式是，不用考虑反向恢复的损耗。
准确计算反向恢复的损耗是非常难的，datasheet里提供的数据也只是给你提供一个相对的参考。
如果你确定反向恢复损耗影响较大，建议你改用GaN 或者SIC器件，没有寄生体二极管，或者寄生体二极管的QRR很小（cascode结构GaN）。
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| | | | | | | 了解了，我如果在外部在并联个二极管可会有效率改善啊？可以直接并联二极管嘛？
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| | | | | | | | | 就是工作在CCM模式下，输入48V，Fsw＝220KHz，输出15V，下管流过的电流平均值在3A左右
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| | | | | | | | | | | 低压条件下的反向恢复损耗不会很大，设置好死区时间，避免直通就可以了。
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| | | | | | | | | 外接并联的二极管，你需要保证并联的二极管正向导通电压VF小于硅MOS的寄生体二极管，这样才能保证续流时，电流通过外接的二极管而不是二极管。
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| | | | | | | | | | | 寄生的体二极管我看规格书压降基本都在1.1V左右，普通的肖特基二极管压降肯定都能满足吧
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| | | | | | | | | | | | | 可以的，你并联肖特基二极管试试看，效率是否有明显改善。
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| | | | | qrr一般情况也没必要去测，硬要测的话去做双脉冲测试。一般低压的分多相，高压的用二极管 评分查看全部评分
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| | | | | 1：理论上并联肖特基会减小体二极管所过电流，从而减小Qrr, 但是在实际测试时，因为外并的二极管从物理距离上是要比体二极管更wores。因此在外部二极管回路上会引入更大的寄生电感，导致体二极管仍然会有较大的电流流过。
2：在并联外部二极管的时候，由于二极管的结电容，相当于增加了snubber网络，因此在某些情况下回看到并了二极管效率反而会降低。
3：您可以尝试将下管换成有集成肖特基的MOS，或如其他工程师所言换成SIC或GAN。
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