 |  | | | | 1、这叫源极驱动，由下管驱动上管的源极（而不是栅极）实现上管的驱动，有两个妙处：
1.1、如果两管耐压相等，可减半电压应力，比如600V的管子带动1000V的电路
1.2、如果下管只是低压，可省去辅助绕组VCC供电电路。
2、都以低压为计算起点，因为电流最大，变压器最接近饱和，高压参数仅仅用来校核器件电压应力。
|
|
|
|  | | | | | | 哦，这样呀，感谢版主！
顺带咨询下，反激变压器的气隙，不磨磁芯中柱，两边加垫片，是不是也可以？
|
|
|
|
|
| | | | | 两管叠起来增加耐压，比如两个600V的管子这么一叠，下管Vds降到Vcc-10V左右就导通了，
当你Vcc为600V的时候，上管的栅极对电源负就可以达到接近1200V的耐压
一般来说低压输入时电流最大、占空比最大，对于控制芯片来说属于最坏工况，所以低压为准
但你需要回去核算高压时开关器件耐压有足够降额，保证短路、过流等极端情况下也不损坏功率器件
如你图所示电路，100V/15W，假设15V/1A输出：
没有特殊要求的话，开关频率选取满载65kHz，效率粗估85%
最大占空比0.45，低压满载刚好进入临界模式CrM，匝比：100*0.45/(15*0.55)=5.5，如果全程DCM就需要让匝比更高一些
AP=15W*0.45/(85%*0.3T*65kHz*6A/mm^2*0.1)=678.7mm^4，选E20磁芯可满足要求，AE=31.2mm^2
最小初级匝数：100V*0.45/(65kHz*31.2mm^2*0.3T)=74Ts
初级电流峰值：2*15W/(85%*100V*0.45)=0.784A，有效值：root(0.45/3)*0.784A=0.3A
初级线径：root(4*0.3A/(Pi*6A/mm^2))=0.25mm，次级线径同理算出约为0.63mm
找个骨架，初级0.25-0.32mm漆包线绕满两层；次级0.6-0.65mm三重绝缘线绕满一层，满足匝比5.5-6.5之间即可
核算即使匝比为6.5，15.5V*6.5*2.5+600V=852V，远低于两管叠起来可承受的1200V，可行
然后重新绕变压器，先绕满一层屏蔽，再初级满两层，再辅助绕组，再次级满一层，
搞定后上电跑一下看看频率、占空比和计算值相差几何，如有需要再做微调
最后再绕一个发给变压器厂按你的手工样品打样，这样就不容易上当受骗了
|
|
|
|
| | | | | | | 您的回复非常详细，太感谢您了！您的计算，没看到初级电感量是如何计算的，气隙如何确定的？
核算即使匝比为6.5，15.5V*6.5*2.5+600V=852V，远低于两管叠起来可承受的1200V，可行
这句，2.5是什么参数？
|
|
|
| | | | | | | | | 匝比乘以输出电压就是反射电压，初略估计漏感振铃1.5倍于反射电压，加起来就是2.5倍反射电压
CrM模式下感量就等于输入电压乘以导通时间除以峰值电流：100V*0.45/(65kHz*0.784A)=883uH
稍微比计算感量小一点就是全程DCM，大一点低压满载就进入CCM，这种小功率推荐往DCM方向靠
|
|
|
|
|  | | | | 叠MOS方案，增加耐压用。。增加输入电压范围。。要注意上管驱动能力够不够（通常在TVS/电阻两端并个小电容）。
|
|
|
| | | | | 对于问题2：开关电源设计里面我记得有个概念，最恶劣电压，你可以去看看，对应的最恶劣工况，同等输出功率情况下，VIn越小，Iin电流也就越大，峰值电流也越大，占空比也越大。对于反激，设计的前提就是选取一个点，或者临界连续，或者断续，一般那个设计的点就是以你的这个最低输入电压切入，若你以VInmax切入，那你Vinmin电流更大，不难免会磁饱和，或者根本不能满足功率输出的要求，个人的一点理解。 |
|
|
收藏
分享
津公网安备 12010402000296号