碳化硅MOS有没有低压的，比如100~200V的，驱动要不要负压？-综合电源技术-世纪电源网社区

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碳化硅MOS有没有低压的，比如100~200V的，驱动要不要负压？

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		2 xkw1cn xkw1cn 离线 LV7 版主积分：131448 \| 主题：37517 \| 帖子：55634 访问空间发消息积分:131448 版主 2024-2-1 00:03:10 倒数4
		碳化硅MOS产品最低是650V。100~200V主要是Si/GaN。至于负压驱动，不推荐。回复 \| 举报 \|

			4 Stephon Stephon 离线 LV8 副总工程师积分：3787 \| 主题：21 \| 帖子：154 访问空间发消息积分:3787 LV8 副总工程师 2024-2-17 10:22:34 倒数2
			很多碳化硅原厂FAE都会推荐增加一些负压驱动，为什么您说不推荐负压驱动呢？是因为负压驱动对阈值电压的影响吗？回复 \| 举报 \|

		3 beyond_笑谈 beyond_笑谈离线 LV8 副总工程师积分：3352 \| 主题：235 \| 帖子：789 访问空间发消息积分:3352 LV8 副总工程师 2024-2-2 13:18:24 倒数3
		碳化硅(SIC MOSFET)主要是针对高压应用，100V-200V用SI MOSFET就行了。而且碳化硅不需要负压驱动回复 \| 举报 \|

		5 Q403920015 Q403920015 离线 LV8 副总工程师积分：2348 \| 主题：13 \| 帖子：290 访问空间发消息积分:2348 LV8 副总工程师最新回复 2024-2-21 17:12:31 倒数1
		100~200V的 SiC没有，GaN有。我们有在推回复 \| 举报 \|

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