| | nc965- 积分:102216
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| | | | | | | 有尝试过关闭mos走体二极体
但一样会有负电流
另外测试过将mos换为二极体 电路正常运作
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| | | | nc965- 积分:102216
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| | | | | | | | | | | 想请问有可能是反向恢復电流造成的吗?
查阅datasheet后发现
整流二极体的trr为 60ns
而目前用的mos trr为 250ns
是否有方法能够抑制
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| | | | | | nc965- 积分:102216
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| | | | | | | | | | | | | | | 我换了反向恢復时间小的mos
就没有负电流的问题了 谢谢你
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| | | | | 你都工作在低于谐振频率的区域了,输出测都是ZCS的状态,哪里来的反向恢复问题?想歪了。
就是你二次侧的整流管开通时间太长了,设置在1/2谐振周期不合适,偏大了,你要留一定的裕量,应该早点关断二次侧的整流管,可以尝试设置在1/4谐振周期左右,再根据调试波形逐渐增加,但是肯定不能达到1/2谐振周期(一个是由于参数偏差,这个值不一定准,还有就是死区时间的影响,一定要多留裕量)。
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| | | | | | | 你好 后来测量时发现Vds严重 震荡
认为负电流可能是此 震荡造成
想请教是否有方法可以解决
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| | | | | | | 你是说,在这种情况下,同步MOS开通时间过长,电流倒灌了是吧 |
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| | | | | 变压器一次侧漏感大,会造成SR Vds震荡;如果是**谐振电感,主变压器漏感尽量小; |
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| | | | | | | 你是说集成漏感和外置谐振电感相比,会容易造成副边SR MOS Vds尖峰吗
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