 |  | | | | 用UCC27324好像不行吧，UCC27324两个输出都是低端的，而LLC需要其中一个是高端驱动，如果用UCC27324的话还要加一级自举
所以推荐使用支持3.3V的具备高低端输出功能的芯片，比如EG3112之类的芯片，直接可以用3.3V单片机IO驱动
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| |  |  | | | | | | 2/4脚是高阻抗、按电压匹配、不按电流匹配，哪怕（某些）MCU的I/O口只能输出1mA也没有问题。
R1\R2是RC消燥电路，典型值1K, 与端口（10K电阻换成）电容按RC=t (毛刺脉宽）配置（比如C=22pF对应22nS), 三个作用：
1、3脚是驱动地、要开尔文链接到MOS的S根部，不是（也不能简单链接到）MUC地，两地之间有可观毛刺，需要消燥
2、2/4脚是高阻抗输入端，视为热点，视为天线、需要最小化，需要用R1\R2与远（MUC输出）端隔开，哪怕之前的连线再远、哪怕没有C (端口本身还有几个pF)
3、当电压不匹配时，10K电阻起简单分压作用
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| | | | | | | | | | | 谢谢指点！
1、 2/4脚输入端为驱动芯片的小MOS，R1/R2电阻幅值决定了对这个小MOS的峰值驱动电流，还是要满足一定的电流才能推开这个MOS吧？
2、 麻烦版主帮看一下这个3.3V是否满足这款驱动芯片的输入电压需求
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| | | | | | | | | | | | | 1、 小MOS的GS，有电流也是漏电流、uA级，此外GS还有电容、pF级，即使加上外电容，充放电峰值也难以抵达mA级
2、无论是漏电流、还是信号电平，数据手册上均有据可查 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 怎么典型值是1.5V，最小值是2.4V？是手册有误吗
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 无误，逻辑表达而已，正常1.5V逻辑1，最差的要2.4V才认定为1，提示单片机VDD要大于2.4V，否则有误码几率
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| | | | | | | | | | | 刚刚模拟了一下，3.3V固定出来一路150K PWM波，50%占空比，通过510R电阻（即R1值）接到后端驱动芯片输入端，相当于输入端的峰值电流6mA左右（根据手册管脚最大输出拉电流20mA左右），再在驱动芯片输出端接了一个51R的驱动电阻到地，模拟驱动MOS情况，输入端和输出端的波形还可以，没有什么明显失真。按照这样的情况如果是两路互补PWM的话，那应该也没有什么问题了。 |
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| | | | | | | | | | | | | 一本糊涂账，电阻起码1K、电流也不是那样算的、负载也不会是电阻、失真也主要是弥勒
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| | | | | | | | | | | | | | | 发现3.3V的PWM信号，与驱动芯片出来的PWM信号，有100ns的延时（手册上是50ns MAX），占空比略有轻微丢失，3.3V为50%，后面驱动出来为49.6%，这有影响吗
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 延迟肯定有的，不仅上升沿、还有下降沿，不仅到INB，还要到OUTB，穿过变压器乃至VGS、穿过弥勒、直到VDS。每一步都有延迟，都要精心控制。你才到INB，还差得远。
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| | | | | 纳芯微有个直接输入MCU信号隔离输出半桥驱动的芯片。 |
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| | | | | 驱动方案：1.隔离变压器：不需要原边电压
2.光耦加两路辅助源（15V，不供地）：需要两路原边
3.光耦加驱动芯片（IR2110之类的）：需要原边电压
4.隔离驱动芯片（纳芯微之类的）：需要原边电压
电压电流采样：
1.霍尔传感器
2.隔离芯片(AMC1311BDWVR、HCPL-7840，纳芯微，TI都有)
看一下TI的这篇 MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器电路的基本原理 。
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