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已解决

带负压的MOSFET驱动电路

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cumtzhangwang
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LV8
副总工程师
  • 2012-5-24 16:55:09
10问答币
看胡版主的MOSFET驱动电路的设计与仿真PPT里面说~Vg中存在负电压,一定程度上加长了驱动延迟时间~要消除负压~
然后又看了一个技术手册~专门介绍了一种负压驱动电路~如下图所示~据介绍可以加速关断速度~
然后我就了~想问下大家~什么时候要用负压驱动~还有负压驱动能加速关断吗?

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1、胡版主的说的负压能加长延时驱动,指的是上升时间,因为从负到MOS管阀值时间肯定比从零到阀值时间长。 2、技术手册里说的事负压加速关断时间,这个也是正确的。 这个事情,正好证明了得失。。。。。。有所得必有所失。
YTDFWANGWEI
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版主
  • 2012-5-24 17:13:00
 
1、胡版主的说的负压能加长延时驱动,指的是上升时间,因为从负到MOS管阀值时间肯定比从零到阀值时间长。
2、技术手册里说的事负压加速关断时间,这个也是正确的。
这个事情,正好证明了得失。。。。。。有所得必有所失。

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cumtzhangwang
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LV8
副总工程师
  • 2012-5-24 19:55:07
 
嗯~还有一点疑问~负压是如何加速关断的呢?给电流一个推力?加速了电流释放速度?
YTDFWANGWEI
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版主
  • 2012-5-24 20:26:17
 
基本是这个意思.
blueskyy
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LV10
总工程师
  • 2012-5-24 22:25:38
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举个例子:
从平地跳到10米高,和从-10米的深坑跳到10米高,谁的时间长?
(该人弹跳力一定)
cumtzhangwang
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LV8
副总工程师
  • 2012-5-25 18:11:20
  • 倒数8
 
感谢~让我更深刻了理解为什么开通变缓~
Coming.Lu
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版主
  • 2012-5-25 07:59:13
  • 倒数9
 
现在的MOS,基本上都不用负压关断了吧。
IGBT倒是说是有负压会好些。
cumtzhangwang
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LV8
副总工程师
  • 2012-5-25 18:19:11
  • 倒数7
 
嗯~是的~IGBT加负压貌似是防止什么擎柱效应~
方舟134340
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LV2
本网技师
  • 2015-1-8 17:24:38
  • 倒数6
 
低压场合MOS驱动都不需要负压了,高压有时候还是需要的
xidaole
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LV4
初级工程师
  • 2016-1-13 09:57:59
  • 倒数5
 
呵呵,人家实际产品是负电压关断后,马上把驱动电压回归到零;这样就不影响下次的开启时间了。
殷子
  • 殷子
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LV6
高级工程师
  • 2016-2-29 19:44:40
  • 倒数4
 
您好,请教一下,这个负压是怎么形成的?新手求教
曼珠沙
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LV6
高级工程师
  • 2019-5-23 11:48:17
  • 倒数3
 
方便分享一下胡版主的PPT么?
sk1993
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LV6
高级工程师
  • 2020-8-13 13:58:24
  • 倒数2
 
这个讲负压驱动的技术手册是叫什么名字呢?想要了解一下这个驱动
LLC谐振
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LV6
高级工程师
最新回复
  • 2021-7-20 17:06:45
  • 倒数1
 
请问下技术手册在哪里呢?可否分享一下?
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