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麻烦大佬们帮忙审核一下这个反激电源

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PXPPET
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  • 2022-7-15 10:35:46
10问答币
DCM模式25W反激电源设计参数在图片的表格中,麻烦各位大佬帮忙审核一下是否合理合适,先谢谢拉
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25W反激设计.png
谢开源
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  • 2022-7-15 11:24:16
 
匝比太小,可以9-10

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YTDFWANGWEI
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  • 2022-7-15 11:41:48
 
如果咋比这么大,占空比多少?

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  • 2022-7-15 11:44:53
 
如果按谢工说的匝比改成9.5,低压满载最大占空比的理论计算值时0.45。但是计算结果显示低压满载效率会降低一丢丢,不知道是不是我的计算问题。
YTDFWANGWEI
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  • 2022-7-15 11:49:03
 
我想错了。。。
YTDFWANGWEI
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  • 2022-7-15 16:04:26
 
效率怎么算?咋比更改后副边二极管压降降低,可以选择更低压降的管子吧
aymm
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  • 2022-7-15 15:24:42
 
L=440uH,N=8,RCD=300K,1nF

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  • 2022-7-15 15:43:39
 
300K电阻放不完电啊,吸收电容电压会很高吧
YTDFWANGWEI
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  • 2022-7-15 16:02:46
 
RCD是钳位,不需要放完电,只需要释放尖峰能量即可,不过300K估计也确实有些大。
PXPPET
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  • 2022-7-15 18:15:56
 
吸收电阻功耗,只考虑漏感能量就可以嘛?需不需要考虑变压器的励磁电感对吸收电路的影响啊?看有资料写的变压器电感也会给吸收电路充电,而且这部分能量还不容小觑。
YTDFWANGWEI
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  • 2022-7-18 08:09:14
 
会有影响,但作为RCD钳位吸收,没必要每个周期都将C上电容放电到零伏。
ganlanshuyang
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  • 2022-8-1 09:05:10
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这个吸收电阻的功耗如何评估呢,1206封装的电阻能扛得住吗
nc965
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  • 2022-7-15 16:03:05
 
这个靠谱一点:
3.png

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aymm
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  • 2022-7-15 18:09:42
 
哈哈哈,老哥审题不清哦,要DCM的
nc965
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  • 2022-7-15 18:11:24
 
这个就是DCM,显然你没有看明白
aymm
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  • 2022-7-15 19:10:47
 
DCM吗?不存在的,你仔细看一下
nc965
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  • 2022-7-15 19:40:22
 
还是你看仔细点吧,输入电压100V~375V全程DCM,低于100V(或者频率高于33.1KHz)才进入CCM,很清晰的表达
PXPPET
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  • 2022-7-15 20:08:53
 
这1.9mH有点大啊
nc965
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  • 2022-7-15 20:48:31
 
磁密限制在0.3T的结果,磁芯好还可以再大点。越大越好的意思,但需要材质保证,当然更要正确的设计理念
大A小B
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本网技师
  • 2022-7-17 23:24:13
 
请问一下,怎么从这个表格中怎么看出是DCM还是CCM?模式我只能看波形看出来,看来还是没有摸熟。
nc965
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  • 2022-7-18 00:30:34
 
表格是按临界模式计算的,临界点为100V33.1KHz
aymm
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  • 2022-7-19 10:03:02
 
轻载33K是DCM,那满载65K不就CCM了,显然你过于自信。
nc965
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  • 2022-7-19 11:25:39
 
满载33.1K是CRM模式,满载33.0K是DCM模式,满载33.2K就进入CCM模式了,何况65K,拧得清不?
PXPPET
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  • 2022-7-19 11:34:56
 
是的,这个表格计算的结果包含CCM和DCM两种状态,而且是变频的。我现在就是做个最简单的,定频65K,全DCM。主电路参数又重新调整了一下,现在调整RCD,有点烦躁,电容电压和电阻功耗不好平衡。等调整完了再发上来,大佬们有时间的时候再帮忙看看。
nc965
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  • 2022-7-19 11:40:49
 
这个变压器定频33.1K就行(不用变频),你定频到65K,会牺牲性能,效率急剧下降。非要做65KHzDCM的话,建议减小磁芯,估计EE16就行,但仍然要仔细排线,不是随便拟定一个线径就可以的,反激变压器的精奥都在线包上。
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  • 2022-7-19 13:21:06
 
1. 升频是更容易进CCM的,所以他要65K在DCM的话就不能1.9mH
2. 65K/33K不一定是能调的,得看他IC型号
3. 33K用EE16加厚也费劲
nc965
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  • 2022-7-19 13:25:38
 
要做65K很容易哈,气隙磨大即可实现,同样的线包漏感增加一倍,性能恶化不是一星半点。
非要DCM65K,EE19W最佳
4.png

其实定频正好实施CCM模式,可进一步减小变压器体积,这个EE16W应该是工程首选
4.png

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  • 2022-7-19 15:02:15
 
是看资料说CCM环路不好调试,存在右平面零点?怕调不出来。
还有就是您觉得PQ2016这个磁芯,48匝,520uH,漏感控制在3%容易嘛?
nc965
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  • 2022-7-19 15:56:29
  • 倒数10
 
需要担心的是变压器,其他事情还轮不到现在担心
48匝PQ2016变压器,气隙磨到890uH好用一点,要减少漏感,就必须忠实执行表中的线径和绕法,二者都做到,1.5%吧,不改感量,漏感同比增加。
4.png

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  • 2022-7-19 15:15:57
 
现在选出了一组RCD参数,10nF(600V),18KΩ,电阻实际功耗有2W,要选5W的电阻。一个辅助电源弄这么大一个吸收电阻,会不会显得很low啊?
如果电阻值增加,功耗会降低,但是吸收电容电压会升高,这样在高压400V输入时MOSFET的电压余量就不够了。
小电容也是一样,吸收电容电压会升的比较高。
YTDFWANGWEI
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  • 2022-7-19 16:01:59
  • 倒数9
 
你这个RCD参数,估计就是扯淡。不知道你怎么选出来的。
PXPPET
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  • 2022-7-20 08:49:09
  • 倒数8
 
RCD计算参考的仙童的一篇文档。您是觉得这组RC参数不符合工程实际嘛?还是什么原因?
主要是受限于MOSFET的VDS耐压。

RCD钳位电路分析.pdf

152.01 KB, 下载次数: 10, 下载积分: 财富 -2

YTDFWANGWEI
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  • 2022-7-20 14:02:42
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不知道你怎么算的,但你选的参数,肯定是不符合实际的。
colindun
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  • 2022-8-9 23:55:54
  • 倒数1
 
这个文档计算的结果不实用,可作为学习参考
空载关机要放电
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本网技师
  • 2022-7-25 17:42:46
  • 倒数4
 
RCD是吸收尖峰毛刺,和漏感大小有关,没有必要那么重,一般尖峰电压120V左右就可以了
PXPPET
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  • 2022-7-19 15:09:32
 
目前选的是UCC28C45。变频准谐振的芯片还没有看,您有芯片型号推荐嘛?


aymm
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  • 2022-7-20 10:49:32
  • 倒数6
 
2845 古董了,技术很厉害但是以前工艺不好
DIP-8可以用合封MOS,外置MOS可以用SOT23-6,型号就不说了,不想打广告,想了解的话私聊

ganlanshuyang
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  • 倒数7
 
z443233785
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副总工程师
  • 2022-7-31 21:53:44
  • 倒数3
 
匝比设计在7左右就差不多了
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