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|  |  | YTDFWANGWEI- 积分:106926
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| |  |  | | | | | | 如果按谢工说的匝比改成9.5,低压满载最大占空比的理论计算值时0.45。但是计算结果显示低压满载效率会降低一丢丢,不知道是不是我的计算问题。
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| | |  |  | YTDFWANGWEI- 积分:106926
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| | |  |  | YTDFWANGWEI- 积分:106926
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积分:106926 版主 | | | | | | 效率怎么算?咋比更改后副边二极管压降降低,可以选择更低压降的管子吧
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 |  | | | | L=440uH,N=8,RCD=300K,1nF
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| |  |  | YTDFWANGWEI- 积分:106926
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积分:106926 版主 | | | | | RCD是钳位,不需要放完电,只需要释放尖峰能量即可,不过300K估计也确实有些大。
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| | |  |  | | | | | | | 吸收电阻功耗,只考虑漏感能量就可以嘛?需不需要考虑变压器的励磁电感对吸收电路的影响啊?看有资料写的变压器电感也会给吸收电路充电,而且这部分能量还不容小觑。  |
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| | | |  |  | YTDFWANGWEI- 积分:106926
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积分:106926 版主 | | | | | | | 会有影响,但作为RCD钳位吸收,没必要每个周期都将C上电容放电到零伏。
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| | | | |  |  | | | | | | | | | 这个吸收电阻的功耗如何评估呢,1206封装的电阻能扛得住吗
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| | | |  |  | | | | | | | | 还是你看仔细点吧,输入电压100V~375V全程DCM,低于100V(或者频率高于33.1KHz)才进入CCM,很清晰的表达
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| | | | | |  |  | | | | | | | | | | 磁密限制在0.3T的结果,磁芯好还可以再大点。越大越好的意思,但需要材质保证,当然更要正确的设计理念
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| | | | |  |  | | | | | | | | | 请问一下,怎么从这个表格中怎么看出是DCM还是CCM?模式我只能看波形看出来,看来还是没有摸熟。
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| | | | | |  |  | | | | | | | | | | 表格是按临界模式计算的,临界点为100V33.1KHz
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| | | | | | |  |  | | | | | | | | | | | 轻载33K是DCM,那满载65K不就CCM了,显然你过于自信。
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| | | | | | | |  |  | | | | | | | | | | | | 满载33.1K是CRM模式,满载33.0K是DCM模式,满载33.2K就进入CCM模式了,何况65K,拧得清不? |
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| | | | | | | | |  |  | | | | | | | | | | | | | 是的,这个表格计算的结果包含CCM和DCM两种状态,而且是变频的。我现在就是做个最简单的,定频65K,全DCM。主电路参数又重新调整了一下,现在调整RCD,有点烦躁,电容电压和电阻功耗不好平衡。等调整完了再发上来,大佬们有时间的时候再帮忙看看。  |
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| | | | | | | | | |  |  | | | | | | | | | | | | | | 这个变压器定频33.1K就行(不用变频),你定频到65K,会牺牲性能,效率急剧下降。非要做65KHzDCM的话,建议减小磁芯,估计EE16就行,但仍然要仔细排线,不是随便拟定一个线径就可以的,反激变压器的精奥都在线包上。
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| | | | | | | | | | |  |  | | | | | | | | | | | | | | | 1. 升频是更容易进CCM的,所以他要65K在DCM的话就不能1.9mH
2. 65K/33K不一定是能调的,得看他IC型号
3. 33K用EE16加厚也费劲
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| | | | | | | | | | | |  |  | | | | | | | | | | | | | | | | 要做65K很容易哈,气隙磨大即可实现,同样的线包漏感增加一倍,性能恶化不是一星半点。
非要DCM65K,EE19W最佳
其实定频正好实施CCM模式,可进一步减小变压器体积,这个EE16W应该是工程首选
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| | | | | | | | | | | | |  |  | | | | | | | | | | | | | | | | | 是看资料说CCM环路不好调试,存在右平面零点?怕调不出来。
还有就是您觉得PQ2016这个磁芯,48匝,520uH,漏感控制在3%容易嘛?
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| | | | | | | | | | | | | |  |  | | | | | | | | | | | | | | | | | | 需要担心的是变压器,其他事情还轮不到现在担心
48匝PQ2016变压器,气隙磨到890uH好用一点,要减少漏感,就必须忠实执行表中的线径和绕法,二者都做到,1.5%吧,不改感量,漏感同比增加。
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| | | | | | | | | | | | |  |  | | | | | | | | | | | | | | | | | 现在选出了一组RCD参数,10nF(600V),18KΩ,电阻实际功耗有2W,要选5W的电阻。一个辅助电源弄这么大一个吸收电阻,会不会显得很low啊?
如果电阻值增加,功耗会降低,但是吸收电容电压会升高,这样在高压400V输入时MOSFET的电压余量就不够了。
小电容也是一样,吸收电容电压会升的比较高。
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| | | | | | | | | | | | | |  |  | YTDFWANGWEI- 积分:106926
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积分:106926 版主 | | | | | | | | | | | | | | | | | 你这个RCD参数,估计就是扯淡。不知道你怎么选出来的。
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| | | | | | | | | | | | | | |  |  | | | | | | | | | | | | | | | | | | | RCD计算参考的仙童的一篇文档。您是觉得这组RC参数不符合工程实际嘛?还是什么原因? 
主要是受限于MOSFET的VDS耐压。
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| | | | | | | | | | | | | | | |  |  | YTDFWANGWEI- 积分:106926
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积分:106926 版主 | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 不知道你怎么算的,但你选的参数,肯定是不符合实际的。
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| | | | | | | | | | | | | |  |  | | | | | | | | | | | | | | | | | | RCD是吸收尖峰毛刺,和漏感大小有关,没有必要那么重,一般尖峰电压120V左右就可以了
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| | | | | | | | | | | |  |  | | | | | | | | | | | | | | | | 目前选的是UCC28C45。变频准谐振的芯片还没有看,您有芯片型号推荐嘛?
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| | | | | | | | | | | | |  |  | | | | | | | | | | | | | | | | | 2845 古董了,技术很厉害但是以前工艺不好
DIP-8可以用合封MOS,外置MOS可以用SOT23-6,型号就不说了,不想打广告,想了解的话私聊
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